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龍圖騰網恭喜慕尼黑工業大學申請的專利晶片、光發射器件、生產晶片的方法以及表征用于生產晶片的系統的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113994455B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080040617.X，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權晶片、光發射器件、生產晶片的方法以及表征用于生產晶片的系統的方法是由C·丹吉爾;J·芬利;K·穆勒;F·波普;A·路德維希;N·巴爾特;A·威克設計研發完成，并于2020-05-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本晶片、光發射器件、生產晶片的方法以及表征用于生產晶片的系統的方法在說明書摘要公布了：本申請涉及一種晶片10，包括：襯底11；至少一個中間層，該至少一個中間層形成在襯底11的表面上，其中至少一個中間層至少部分地覆蓋襯底11的表面，并且其中至少一個中間層的外表面15指向背離襯底11的表面11a；以及納米結構16，該納米結構生長在至少一個中間層的外表面15上，其中至少一個中間層以這樣的方式形成，即，納米結構16的生長位置15a在至少一個中間層的外表面15上是預定的，并且其中納米結構16的至少一種納米結構材料被組裝在納米結構16的生長位置15a處。

本發明授權晶片、光發射器件、生產晶片的方法以及表征用于生產晶片的系統的方法在權利要求書中公布了：1.一種晶片10，20，30，40，50，71，80，90，包括：襯底11；至少一個中間層，所述至少一個中間層形成在所述襯底11的表面11a上，其中所述至少一個中間層至少部分地覆蓋所述襯底11的表面11a，并且其中所述至少一個中間層的外表面15指向背離所述襯底11的表面11a；和納米結構16，28，53，84，89，92，95，所述納米結構生長在所述至少一個中間層的外表面上15；其中，所述至少一個中間層以如下的方式形成：所述納米結構16，28，53，84，89，92，95的生長位置15a，27，45，52，84在所述至少一個中間層的外表面15上是預定的，并且其中所述納米結構16，28，53，84，89，92，95的至少一種納米結構材料被組裝在所述納米結構16，28，53，84，89，92，95的生長位置15a，27，45，52，84處，其中，所述至少一個中間層12,13,14,83,91a,91b,92a,92b以如下方式形成：所述外表面15具有變化的粗糙度，其中所述外表面15的區域15a、84具有較高的粗糙度且所述外表面的區域15b具有較低的粗糙度，并且具有較高粗糙度的所述外表面15的區域15a，84被預定為納米結構16，93a，93b在所述外表面15上的生長位置15a，84。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人慕尼黑工業大學，其通訊地址為：德國慕尼黑；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。