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龍圖騰網(wǎng)恭喜慕尼黑工業(yè)大學(xué)申請的專利晶片、光發(fā)射器件、生產(chǎn)晶片的方法以及表征用于生產(chǎn)晶片的系統(tǒng)的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113994455B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202080040617.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)晶片、光發(fā)射器件、生產(chǎn)晶片的方法以及表征用于生產(chǎn)晶片的系統(tǒng)的方法是由C·丹吉爾;J·芬利;K·穆勒;F·波普;A·路德維希;N·巴爾特;A·威克設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-05-28向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本晶片、光發(fā)射器件、生產(chǎn)晶片的方法以及表征用于生產(chǎn)晶片的系統(tǒng)的方法在說明書摘要公布了：本申請涉及一種晶片10，包括：襯底11；至少一個中間層，該至少一個中間層形成在襯底11的表面上，其中至少一個中間層至少部分地覆蓋襯底11的表面，并且其中至少一個中間層的外表面15指向背離襯底11的表面11a；以及納米結(jié)構(gòu)16，該納米結(jié)構(gòu)生長在至少一個中間層的外表面15上，其中至少一個中間層以這樣的方式形成，即，納米結(jié)構(gòu)16的生長位置15a在至少一個中間層的外表面15上是預(yù)定的，并且其中納米結(jié)構(gòu)16的至少一種納米結(jié)構(gòu)材料被組裝在納米結(jié)構(gòu)16的生長位置15a處。

本發(fā)明授權(quán)晶片、光發(fā)射器件、生產(chǎn)晶片的方法以及表征用于生產(chǎn)晶片的系統(tǒng)的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種晶片10，20，30，40，50，71，80，90，包括：襯底11；至少一個中間層，所述至少一個中間層形成在所述襯底11的表面11a上，其中所述至少一個中間層至少部分地覆蓋所述襯底11的表面11a，并且其中所述至少一個中間層的外表面15指向背離所述襯底11的表面11a；和納米結(jié)構(gòu)16，28，53，84，89，92，95，所述納米結(jié)構(gòu)生長在所述至少一個中間層的外表面上15；其中，所述至少一個中間層以如下的方式形成：所述納米結(jié)構(gòu)16，28，53，84，89，92，95的生長位置15a，27，45，52，84在所述至少一個中間層的外表面15上是預(yù)定的，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)16，28，53，84，89，92，95的至少一種納米結(jié)構(gòu)材料被組裝在所述納米結(jié)構(gòu)16，28，53，84，89，92，95的生長位置15a，27，45，52，84處，其中，所述至少一個中間層12,13,14,83,91a,91b,92a,92b以如下方式形成：所述外表面15具有變化的粗糙度，其中所述外表面15的區(qū)域15a、84具有較高的粗糙度且所述外表面的區(qū)域15b具有較低的粗糙度，并且具有較高粗糙度的所述外表面15的區(qū)域15a，84被預(yù)定為納米結(jié)構(gòu)16，93a，93b在所述外表面15上的生長位置15a，84。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人慕尼黑工業(yè)大學(xué)，其通訊地址為：德國慕尼黑；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。