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恭喜信越半導(dǎo)體株式會(huì)社大槻剛獲國家專利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)恭喜信越半導(dǎo)體株式會(huì)社申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體基板的評(píng)價(jià)方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN114270485B

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202080059729.X,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L21/66;該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體基板的評(píng)價(jià)方法是由大槻剛設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2020-06-04向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

半導(dǎo)體基板的評(píng)價(jià)方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明涉及半導(dǎo)體基板的評(píng)價(jià)方法,其評(píng)價(jià)半導(dǎo)體基板的電氣特性,包含以下工序:在半導(dǎo)體基板的表面形成pn結(jié);在晶圓卡盤上搭載半導(dǎo)體基板,晶圓卡盤設(shè)置有對(duì)半導(dǎo)體基板表面進(jìn)行光照射的裝置及測(cè)量照射的光的光量的裝置;對(duì)半導(dǎo)體基板表面進(jìn)行預(yù)定時(shí)間的光照射;以及至少測(cè)量關(guān)閉光照射后的pn結(jié)的光照射后的產(chǎn)生載流子量。由此,提供一種半導(dǎo)體基板的評(píng)價(jià)方法,該方法在對(duì)與CCD、CMOS圖像傳感器等要求高成品率的產(chǎn)品所使用的晶圓的余像特性對(duì)應(yīng)的特性進(jìn)行評(píng)價(jià)時(shí),不進(jìn)行使用了工藝設(shè)備的元件的制作,在晶圓狀態(tài)下也能夠進(jìn)行與形成實(shí)際的固體攝像元件時(shí)同樣的評(píng)價(jià)。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體基板的評(píng)價(jià)方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種半導(dǎo)體基板的評(píng)價(jià)方法,其評(píng)價(jià)半導(dǎo)體基板的電氣特性,其特征在于,包含以下工序:在所述半導(dǎo)體基板的表面形成pn結(jié);在晶圓卡盤上搭載所述半導(dǎo)體基板,所述晶圓卡盤設(shè)置有對(duì)所述半導(dǎo)體基板表面進(jìn)行光照射的裝置及測(cè)量照射的光的光量的裝置;對(duì)所述半導(dǎo)體基板表面進(jìn)行預(yù)定時(shí)間的光照射;以及至少測(cè)量關(guān)閉光照射后的所述pn結(jié)的光照射后的產(chǎn)生載流子量,在進(jìn)行所述光照射的工序中,測(cè)量所述pn結(jié)的光照射中的產(chǎn)生載流子量,使用與進(jìn)行所述光照射的裝置及測(cè)量照射的光的光量的裝置分開設(shè)置的載流子測(cè)量探針,進(jìn)行所述光照射中的產(chǎn)生載流子量及所述光照射后的產(chǎn)生載流子量的測(cè)量,使用固體拍攝元件用的半導(dǎo)體基板作為所述半導(dǎo)體基板,根據(jù)所述光照射中的產(chǎn)生載流子量與所述光照射后的產(chǎn)生載流子量之比評(píng)價(jià)固體拍攝元件的余像特性。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人信越半導(dǎo)體株式會(huì)社,其通訊地址為:日本東京都;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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