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龍圖騰網(wǎng)恭喜信越半導(dǎo)體株式會社申請的專利半導(dǎo)體基板的評價方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114270485B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202080059729.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/66；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體基板的評價方法是由大槻剛設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-06-04向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體基板的評價方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體基板的評價方法，其評價半導(dǎo)體基板的電氣特性，包含以下工序：在半導(dǎo)體基板的表面形成pn結(jié)；在晶圓卡盤上搭載半導(dǎo)體基板，晶圓卡盤設(shè)置有對半導(dǎo)體基板表面進行光照射的裝置及測量照射的光的光量的裝置；對半導(dǎo)體基板表面進行預(yù)定時間的光照射；以及至少測量關(guān)閉光照射后的pn結(jié)的光照射后的產(chǎn)生載流子量。由此，提供一種半導(dǎo)體基板的評價方法，該方法在對與CCD、CMOS圖像傳感器等要求高成品率的產(chǎn)品所使用的晶圓的余像特性對應(yīng)的特性進行評價時，不進行使用了工藝設(shè)備的元件的制作，在晶圓狀態(tài)下也能夠進行與形成實際的固體攝像元件時同樣的評價。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體基板的評價方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體基板的評價方法，其評價半導(dǎo)體基板的電氣特性，其特征在于，包含以下工序：在所述半導(dǎo)體基板的表面形成pn結(jié)；在晶圓卡盤上搭載所述半導(dǎo)體基板，所述晶圓卡盤設(shè)置有對所述半導(dǎo)體基板表面進行光照射的裝置及測量照射的光的光量的裝置；對所述半導(dǎo)體基板表面進行預(yù)定時間的光照射；以及至少測量關(guān)閉光照射后的所述pn結(jié)的光照射后的產(chǎn)生載流子量，在進行所述光照射的工序中，測量所述pn結(jié)的光照射中的產(chǎn)生載流子量，使用與進行所述光照射的裝置及測量照射的光的光量的裝置分開設(shè)置的載流子測量探針，進行所述光照射中的產(chǎn)生載流子量及所述光照射后的產(chǎn)生載流子量的測量，使用固體拍攝元件用的半導(dǎo)體基板作為所述半導(dǎo)體基板，根據(jù)所述光照射中的產(chǎn)生載流子量與所述光照射后的產(chǎn)生載流子量之比評價固體拍攝元件的余像特性。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人信越半導(dǎo)體株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。