恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司朱熙甯獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體裝置結構及其形成方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN112750891B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202010685457.6,技術領域涉及:H10D62/10;該發明授權半導體裝置結構及其形成方法是由朱熙甯;江國誠;陳冠霖;王志豪設計研發完成,并于2020-07-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置結構及其形成方法在說明書摘要公布了:提供半導體裝置結構及其形成方法。半導體裝置結構包含位于基底上方的多個半導體納米結構以及位于基底上方的兩個外延結構。半導體納米結構的每一者在外延結構之間,且外延結構為p型摻雜。半導體裝置結構也包含環繞半導體納米結構的柵極堆疊物。半導體裝置結構還包含位于柵極堆疊物與基底之間的介電應力結構,外延結構延伸超出介電應力結構的頂表面。
本發明授權半導體裝置結構及其形成方法在權利要求書中公布了:1.一種半導體裝置結構,包括:多個半導體納米結構,位于一基底上方;兩個外延結構,位于該基底上方,其中該多個半導體納米結構的每一者在該兩個外延結構之間,且該兩個外延結構為p型摻雜;一柵極堆疊物,環繞該多個半導體納米結構;以及一介電應力結構,位于該柵極堆疊物與該基底之間,其中該兩個外延結構延伸超出該介電應力結構的一頂表面。
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