恭喜株式會(huì)社索思未來(lái)巖堀淳司獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜株式會(huì)社索思未來(lái)申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體集成電路裝置及半導(dǎo)體集成電路裝置的制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN114467175B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202080069062.1,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10D84/83;該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體集成電路裝置及半導(dǎo)體集成電路裝置的制造方法是由巖堀淳司設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2020-09-23向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本半導(dǎo)體集成電路裝置及半導(dǎo)體集成電路裝置的制造方法在說(shuō)明書摘要公布了:標(biāo)準(zhǔn)單元C1包括柵極布線52、虛設(shè)柵極布線56、焊盤46、納米片24以及虛設(shè)納米片34,虛設(shè)柵極布線56形成為在柵極布線52的、位于X方向的附圖右側(cè)與柵極布線52相鄰,焊盤46設(shè)在柵極布線52與虛設(shè)柵極布線56之間,納米片24形成為與柵極布線52在俯視時(shí)重合且與焊盤46相連,虛設(shè)納米片34形成為與虛設(shè)柵極布線56在俯視時(shí)重合且與焊盤46相連。
本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體集成電路裝置及半導(dǎo)體集成電路裝置的制造方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種半導(dǎo)體集成電路裝置,包括第一標(biāo)準(zhǔn)單元和第二標(biāo)準(zhǔn)單元,其特征在于:所述第一標(biāo)準(zhǔn)單元和所述第二標(biāo)準(zhǔn)單元沿第一方向排列布置,所述第一標(biāo)準(zhǔn)單元包括第一柵極布線、第一虛設(shè)柵極布線、第一焊盤、第一納米片以及第一虛設(shè)納米片,所述第一虛設(shè)柵極布線形成為在所述第一柵極布線的、位于所述第一方向的所述第二標(biāo)準(zhǔn)單元側(cè)與所述第一柵極布線相鄰,所述第一焊盤設(shè)在所述第一柵極布線與所述第一虛設(shè)柵極布線之間,所述第一納米片形成為與所述第一柵極布線在俯視時(shí)重合且與所述第一焊盤相連,所述第一虛設(shè)納米片形成為與所述第一虛設(shè)柵極布線在俯視時(shí)重合且與所述第一焊盤相連,所述第二標(biāo)準(zhǔn)單元包括第二柵極布線、第二虛設(shè)柵極布線以及第二焊盤,所述第二虛設(shè)柵極布線形成為在所述第二柵極布線的、位于所述第一方向的所述第一標(biāo)準(zhǔn)單元側(cè)與所述第二柵極布線相鄰且形成為與所述第一虛設(shè)柵極布線相鄰,所述第二焊盤設(shè)在所述第二柵極布線與所述第二虛設(shè)柵極布線之間。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人株式會(huì)社索思未來(lái),其通訊地址為:日本神奈川縣;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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