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龍圖騰網(wǎng)恭喜北京昌龍智芯半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利摻雜質(zhì)注入方法、碳化硅功率器件及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112635307B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202110076567.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/265；該發(fā)明授權(quán)摻雜質(zhì)注入方法、碳化硅功率器件及其制備方法是由金宰年;葉宏倫;鐘其龍;劉芝韌;劉崇志設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-01-20向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本摻雜質(zhì)注入方法、碳化硅功率器件及其制備方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明涉及一種摻雜質(zhì)注入方法、碳化硅功率器件及其制備方法，其中，本發(fā)明通過(guò)在室溫下先沉積非晶態(tài)的SiC并注入摻雜質(zhì)，后再利用高溫?zé)釘U(kuò)散滲入SiC基板，這過(guò)程不需依賴(lài)高溫離子注射工藝與昂貴的設(shè)備，損壞程度小，同時(shí)改善歐姆接觸特性。而MPS二極管、MOSFET等功率器件在制備過(guò)程中也采用上述離子注入的方法，不需依賴(lài)高溫離子注射工藝與昂貴的設(shè)備，不損壞SiC基板，改善器件反偏壓漏電流、肖特基勢(shì)壘降低效應(yīng)的情況。同時(shí)改善陽(yáng)極金屬和網(wǎng)格層的歐姆接觸特性，可以在大電流涌動(dòng)的情況下有效地防護(hù)器件。

本發(fā)明授權(quán)摻雜質(zhì)注入方法、碳化硅功率器件及其制備方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種碳化硅功率器件，其特征在于：所述功率器件為MPS二極管，所述MPS二極管上設(shè)有有源區(qū)域和外圍區(qū)域；所述MPS二極管的制備方法如下：步驟1、在SiC基板上生長(zhǎng)SiC外延層；步驟2、在SiC外延層上形成多晶SiC層和P型結(jié)或N型結(jié)，所述P型結(jié)或N型結(jié)位于MPS二極管的有源區(qū)域形成P型或N型網(wǎng)格，位于MPS二極管的外圍區(qū)域則形成P型或N型防護(hù)溝；具體如下：步驟2.1、在SiC基板上生長(zhǎng)非晶態(tài)SiC層，并在室溫下注入摻雜質(zhì)；或者，在SiC基板上生長(zhǎng)含摻雜質(zhì)的非晶態(tài)SiC層；步驟2.2、定義出所需摻雜質(zhì)注入的區(qū)域后，進(jìn)行光刻，去除不需要注入摻雜質(zhì)區(qū)域內(nèi)的非晶態(tài)SiC層；步驟2.3、在SiC基板和非晶態(tài)SiC層上在沉積覆蓋層，然后進(jìn)行熱處理，形成多晶SiC層和P型結(jié)或N型結(jié)，所述多晶SiC層由非晶態(tài)SiC層高溫下轉(zhuǎn)變而成，所述P型結(jié)或N型結(jié)由非晶態(tài)SiC中的摻雜質(zhì)在高溫下滲入SiC基板上形成；熱處理完成后，去除覆蓋層；步驟3、在SiC外延層和多晶SiC層上生長(zhǎng)絕緣膜；圖案化頂部絕緣膜，將有源區(qū)域的絕緣膜移除；然后將陽(yáng)極金屬覆蓋在有源區(qū)域和相鄰?fù)鈬鷧^(qū)域的部分區(qū)域上；陽(yáng)極金屬與SiC外延層具有肖特基接觸特性、與多晶SiC層具有歐姆接觸特性；步驟4、在SiC基板下端覆蓋陰極金屬，形成歐姆接觸特性；所述MPS二極管包括SiC基板以及設(shè)置在SiC基板上的N-型SiC外延層，在SiC外延層上端形成有多個(gè)多晶SiC層，在SiC外延層上部形成有多個(gè)與多晶SiC層對(duì)應(yīng)的P型結(jié)，位于有源區(qū)域的P型結(jié)為P型網(wǎng)格，位于外圍區(qū)域的P型結(jié)為P型防護(hù)結(jié)，P型網(wǎng)格和P型防護(hù)溝是透過(guò)多晶SiC層中的P型摻雜質(zhì)擴(kuò)散滲入外延層形成；在SiC外延層和多晶SiC層上設(shè)有絕緣膜，該絕緣膜位于外圍區(qū)域；在有源區(qū)域和相鄰?fù)鈬鷧^(qū)域的部分區(qū)域上設(shè)有陽(yáng)極金屬，該陽(yáng)極金屬與SiC外延層具有肖特基接觸特性、與多晶SiC層具有歐姆接觸特性。

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