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龍圖騰網恭喜北京昌龍智芯半導體有限公司申請的專利摻雜質注入方法、碳化硅功率器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112635307B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110076567.7，技術領域涉及：H01L21/265；該發明授權摻雜質注入方法、碳化硅功率器件及其制備方法是由金宰年;葉宏倫;鐘其龍;劉芝韌;劉崇志設計研發完成，并于2021-01-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本摻雜質注入方法、碳化硅功率器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種摻雜質注入方法、碳化硅功率器件及其制備方法，其中，本發明通過在室溫下先沉積非晶態的SiC并注入摻雜質，后再利用高溫熱擴散滲入SiC基板，這過程不需依賴高溫離子注射工藝與昂貴的設備，損壞程度小，同時改善歐姆接觸特性。而MPS二極管、MOSFET等功率器件在制備過程中也采用上述離子注入的方法，不需依賴高溫離子注射工藝與昂貴的設備，不損壞SiC基板，改善器件反偏壓漏電流、肖特基勢壘降低效應的情況。同時改善陽極金屬和網格層的歐姆接觸特性，可以在大電流涌動的情況下有效地防護器件。

本發明授權摻雜質注入方法、碳化硅功率器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種碳化硅功率器件，其特征在于：所述功率器件為MPS二極管，所述MPS二極管上設有有源區域和外圍區域；所述MPS二極管的制備方法如下：步驟1、在SiC基板上生長SiC外延層；步驟2、在SiC外延層上形成多晶SiC層和P型結或N型結，所述P型結或N型結位于MPS二極管的有源區域形成P型或N型網格，位于MPS二極管的外圍區域則形成P型或N型防護溝；具體如下：步驟2.1、在SiC基板上生長非晶態SiC層，并在室溫下注入摻雜質；或者，在SiC基板上生長含摻雜質的非晶態SiC層；步驟2.2、定義出所需摻雜質注入的區域后，進行光刻，去除不需要注入摻雜質區域內的非晶態SiC層；步驟2.3、在SiC基板和非晶態SiC層上在沉積覆蓋層，然后進行熱處理，形成多晶SiC層和P型結或N型結，所述多晶SiC層由非晶態SiC層高溫下轉變而成，所述P型結或N型結由非晶態SiC中的摻雜質在高溫下滲入SiC基板上形成；熱處理完成后，去除覆蓋層；步驟3、在SiC外延層和多晶SiC層上生長絕緣膜；圖案化頂部絕緣膜，將有源區域的絕緣膜移除；然后將陽極金屬覆蓋在有源區域和相鄰外圍區域的部分區域上；陽極金屬與SiC外延層具有肖特基接觸特性、與多晶SiC層具有歐姆接觸特性；步驟4、在SiC基板下端覆蓋陰極金屬，形成歐姆接觸特性；所述MPS二極管包括SiC基板以及設置在SiC基板上的N-型SiC外延層，在SiC外延層上端形成有多個多晶SiC層，在SiC外延層上部形成有多個與多晶SiC層對應的P型結，位于有源區域的P型結為P型網格，位于外圍區域的P型結為P型防護結，P型網格和P型防護溝是透過多晶SiC層中的P型摻雜質擴散滲入外延層形成；在SiC外延層和多晶SiC層上設有絕緣膜，該絕緣膜位于外圍區域；在有源區域和相鄰外圍區域的部分區域上設有陽極金屬，該陽極金屬與SiC外延層具有肖特基接觸特性、與多晶SiC層具有歐姆接觸特性。

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