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龍圖騰網(wǎng)恭喜蘇州矩陣光電有限公司申請的專利制備InSb功能層的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112802961B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110099762.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N52/85；該發(fā)明授權(quán)制備InSb功能層的方法是由顏建;胡雙元;黃勇;李鑫;吳文俊設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-01-25向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本制備InSb功能層的方法在說明書摘要公布了：本申請涉及一種制備InSb功能層的方法，包括：提供III?V族化合物半導(dǎo)體單晶襯底；在所述III?V族化合物半導(dǎo)體單晶襯底上生長緩沖層；在所述緩沖層上生長晶格常數(shù)匹配的過渡層；在所述過渡層上生長InSb功能層。根據(jù)本申請實施例的制備InSb功能層的方法，減少由于失配引起的InSb功能層的晶格失配位錯密度，提高InSb功能層的晶體質(zhì)量，從而有效的提高Insb霍爾元件的性能。

本發(fā)明授權(quán)制備InSb功能層的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種制備InSb功能層的方法，其特征在于，包括：提供III-V族化合物半導(dǎo)體單晶襯底；在所述III-V族化合物半導(dǎo)體單晶襯底上生長緩沖層；在所述緩沖層上生長與所述緩沖層晶格常數(shù)匹配的過渡層；在所述過渡層上生長InSb功能層；其中，所述緩沖層包括GaAs；所述過渡層為AlxGa0.51-xIn0.49P，其中，x的值大于或者等于0且小于0.51，或，所述過渡層為AlxGa0.51-xIn0.49P:Te，其中，x的值大于或者等于0且小于0.51，Te的摻雜濃度范圍為1E18至1E19。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人蘇州矩陣光電有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市張家港市鳳凰鎮(zhèn)鳳凰科創(chuàng)園D棟矩陣光電；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。