恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司葉佳靈獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體裝置、高電子遷移率晶體管以及用于制造其的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113871449B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110260030.6，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權半導體裝置、高電子遷移率晶體管以及用于制造其的方法是由葉佳靈;帕拉范蘇莫漢塔;陳京玉;謝江河;林育賢設計研發完成，并于2021-03-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置、高電子遷移率晶體管以及用于制造其的方法在說明書摘要公布了：一種半導體裝置和用于制造這種半導體裝置的方法，特別是具有用于阻擋電子泄漏且提高閾值電壓的后勢壘層的高電子遷移率晶體管HEMT。在一個實施例中，一種半導體裝置包含：氮化鎵GaN層；在氮化鎵層上方的前勢壘層；在前勢壘層上方形成的源電極、漏電極以及柵電極；在氮化鎵層與前勢壘層之間的第一界面處的氮化鎵層中的2維電子氣2?DEG；以及在氮化鎵層中的后勢壘層，其中后勢壘層包括氮化鋁AlN。
本發明授權半導體裝置、高電子遷移率晶體管以及用于制造其的方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，包括：第一氮化鎵層，包括第一電阻率；前勢壘層，位于所述第一氮化鎵層上方；源電極、漏電極以及柵電極，形成于所述前勢壘層上方；2維電子氣，位于所述第一氮化鎵層與所述前勢壘層之間的第一界面處的所述第一氮化鎵層中；后勢壘層，位于所述第一氮化鎵層下方，其中所述后勢壘層包括氮化鋁；第二氮化鎵層，位于所述后勢壘層下方，其中所述第二氮化鎵層包括第二電阻率；以及第三氮化鎵層，位于所述第二氮化鎵層下方，其中所述第三氮化鎵層包括第三電阻率，其中所述第三電阻率高于所述第二電阻率。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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