恭喜美光科技公司杉岡繁獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜美光科技公司申請的專利半導體裝置和其形成方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113809081B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202110457365.7，技術領域涉及：H10B12/00；該發(fā)明授權半導體裝置和其形成方法是由杉岡繁;山口秀范;川北惠三;徐邦寧設計研發(fā)完成，并于2021-04-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置和其形成方法在說明書摘要公布了：本公開涉及半導體裝置和其形成方法。一種半導體裝置包含半導體襯底；和多層級布線結構，其處于所述半導體襯底上，所述多層級布線結構至少包含處于所述半導體襯底上方的中間金屬層和處于所述中間金屬層上方的最上部金屬層，且所述多層級布線結構劃分成主電路部分和環(huán)繞所述主電路部分的切劃部分；其中所述多層級布線層的所述切劃部分至少包含所述中間金屬層中暴露的金屬襯墊。
本發(fā)明授權半導體裝置和其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其包括：半導體襯底；和多層級布線結構，其處于所述半導體襯底上，所述多層級布線結構至少包含處于所述半導體襯底上方的中間金屬層和處于所述中間金屬層上方的最上部金屬層，且所述多層級布線結構劃分成主電路部分和環(huán)繞所述主電路部分的切劃部分；其中所述多層級布線結構的所述切劃部分至少包含所述中間金屬層中暴露的金屬襯墊，和其中所述最上部金屬層是重布層，和所述金屬襯墊不被所述重布層覆蓋。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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