恭喜格芯德累斯頓第一模數有限責任及兩合公司A·扎卡獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜格芯德累斯頓第一模數有限責任及兩合公司申請的專利高電壓應用中的浮柵器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113782535B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110585500.6，技術領域涉及：H10B41/30；該發明授權高電壓應用中的浮柵器件是由A·扎卡;T·赫爾曼;F·施拉普霍夫;吳楠設計研發完成，并于2021-05-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本高電壓應用中的浮柵器件在說明書摘要公布了：本發明涉及高電壓應用中的浮柵器件。本公開涉及半導體結構，更具體地涉及浮柵器件及制造方法。該結構包括：柵極結構，其包括柵極電介質材料和柵電極；以及垂直堆疊的電容器，其位于所述柵電極上方并與所述柵電極電連接。
本發明授權高電壓應用中的浮柵器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，包括：浮柵結構，其包括柵極電介質材料和柵電極；層級間電介質材料，位于所述浮柵結構上方；垂直堆疊的電容器，其位于所述層級間電介質材料中并位于所述柵電極上方并與所述柵電極電連接，其中所述垂直堆疊的電容器包括垂直堆疊的多個布線層，所述多個布線層通過兩個鄰近的布線層之間的氮化物材料層分離，所述多個布線層中的每一個包括通過所述層級間電介質材料分離的多個指狀物；互連結構，位于所述層級間電介質材料中并將所述垂直堆疊的電容器連接到所述浮柵結構；以及抬升的源區和漏區，位于所述浮柵結構的側面并位于半導體襯底之上；側壁間隔物，位于所述浮柵結構的側壁上并將所述浮柵結構與所述抬升的源區和漏區分離，其中所述垂直堆疊的電容器的所述多個布線層和將所述多個布線層的最下布線層連接到所述柵電極的所述互連結構被限制在所述柵電極的邊緣內。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人格芯德累斯頓第一模數有限責任及兩合公司，其通訊地址為：德國德累斯頓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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