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恭喜松山湖材料實驗室;中科晶益(東莞)材料科技有限責任公司劉開輝獲國家專利權

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龍圖騰網恭喜松山湖材料實驗室;中科晶益(東莞)材料科技有限責任公司申請的專利陰極輥、電解銅箔機構及電解銅箔制備方法、成品銅箔的制備系統及制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN113846357B

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202111285831.4,技術領域涉及:C25D1/04;該發明授權陰極輥、電解銅箔機構及電解銅箔制備方法、成品銅箔的制備系統及制備方法是由劉開輝;張志強;劉科海;丁志強;黃智;樂湘斌;何夢林;王恩哥設計研發完成,并于2021-11-02向國家知識產權局提交的專利申請。

陰極輥、電解銅箔機構及電解銅箔制備方法、成品銅箔的制備系統及制備方法在說明書摘要公布了:一種陰極輥、電解銅箔機構及電解銅箔制備方法、成品銅箔的制備系統及制備方法,屬于銅箔制備領域。陰極輥包括輥狀的本體、環狀的基材銅箔及石墨烯薄膜。環狀的基材銅箔形成于本體的周壁且與本體導電連接;石墨烯薄膜形成于基材銅箔的表面并包裹基材銅箔,且石墨烯薄膜復制基材銅箔的表面形貌特征。基材銅箔的材質為單晶銅箔或大晶疇銅箔,大晶疇銅箔在每平方分米的晶界數量≤5個。利用石墨烯薄膜復制基材銅箔的表面形貌特征,利用電解銅箔復制石墨烯薄膜的表面形貌特征以實現對電解銅箔的“預單晶化”,因此顯著降低后續退火溫度后能夠獲得單晶銅箔或大晶疇銅箔,且即使電解銅箔厚度<25μm,也可顯著降低褶皺的產生。

本發明授權陰極輥、電解銅箔機構及電解銅箔制備方法、成品銅箔的制備系統及制備方法在權利要求書中公布了:1.一種成品銅箔的制備方法,其特征在于,0≤所述成品銅箔在每平方分米的晶界數量≤5個;所述制備方法包括:將電解銅箔置于退火腔內,向退火腔內通入惰性氣體并升溫,其中惰性氣體流量為300-500sccm;升溫至300-800°C時,惰性氣體流量不變,通入H2且H2流量為10-500sccm,以退火預設時間后冷卻;所述電解銅箔的厚度<25μm,所述電解銅箔的制備包括:獲得電解銅箔機構,所述電解銅箔機構包括電解槽、陰極輥以及陽極部,所述電解槽用于裝放電解液,所述陰極輥利用所述電解液以通過電鍍的方式電沉積電解銅箔,所述陽極部通過所述電解液與所述陰極輥通電;其中,所述陰極輥包括:輥狀的本體、環狀的基材銅箔以及石墨烯薄膜,所述基材銅箔形成于所述本體的周壁且與所述本體導電連接;所述石墨烯薄膜形成于所述基材銅箔的表面并復制有所述基材銅箔的表面形貌特征;所述基材銅箔的材質為單晶銅箔或大晶疇銅箔,所述大晶疇銅箔在每平方分米的晶界數量≤5個;在所述陰極輥以及陽極浸入電解液后電解,使所述石墨烯薄膜的表面電沉積電解銅箔,剝離所述電解銅箔。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人松山湖材料實驗室;中科晶益(東莞)材料科技有限責任公司,其通訊地址為:523808 廣東省東莞市松山湖大學創新城A1棟;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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