恭喜航天特種材料及工藝技術研究所董立超獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜航天特種材料及工藝技術研究所申請的專利一種電磁均勻及阻抗匹配電磁損耗材料及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115087338B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210686186.5，技術領域涉及：H05K9/00；該發明授權一種電磁均勻及阻抗匹配電磁損耗材料及制備方法是由董立超;趙慈;蘭天;劉鵬飛;李南設計研發完成，并于2022-06-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種電磁均勻及阻抗匹配電磁損耗材料及制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種電磁均勻及阻抗匹配電磁損耗材料及制備方法，屬于樹脂基電磁損耗復合材料領域，通過稱量羰基鐵粉、樹脂和氣相二氧化硅，并在室溫下混煉均勻，得到電磁漿料；將所述電磁漿料進行二次混煉勻化，以及脫泡處理；將脫泡處理后的電磁漿料置于成型模具中固化成型，得到電磁均勻及阻抗匹配的電磁損耗材料。本發明獲得的電磁損耗材料上下性能均勻，材料介電常數低，材料的吸波性能良好。
本發明授權一種電磁均勻及阻抗匹配電磁損耗材料及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種電磁均勻及阻抗匹配電磁損耗材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：稱量羰基鐵粉、樹脂和氣相二氧化硅，并在室溫下混煉均勻，得到電磁漿料；氣相二氧化硅的添加比例為羰基鐵粉與樹脂總重量的0.3%-1%，羰基鐵粉與樹脂的質量比為85-91:9-15；氣相二氧化硅的粒徑為50-200nm，氣相二氧化硅表面的硅羥基與羰基鐵粉表面羥基形成氫鍵，形成介電匹配層；將所述電磁漿料進行二次混煉勻化，以及脫泡處理；將脫泡處理后的電磁漿料置于成型模具中固化成型，固化條件為先180℃2小時，然后200℃1小時，得到電磁均勻及阻抗匹配的電磁損耗材料。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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