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龍圖騰網恭喜上海華虹宏力半導體制造有限公司申請的專利一種正面超級結背面IGBT的工藝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115172438B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210746098.X，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權一種正面超級結背面IGBT的工藝方法是由潘嘉;楊繼業;邢軍軍;陳沖設計研發完成，并于2022-06-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種正面超級結背面IGBT的工藝方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種正面超級結背面IGBT的工藝方法，在基底正面依次形成第一、第二外延層；形成穿透第一、第二外延層至基底中的多個深溝槽；在深溝槽中填充P型外延材料，形成P柱；第二外延層表面形成有N型埋層；在N型埋層及P柱上表面形成第三外延層；在第三外延層中的每個P柱上方兩側形成溝槽；在每個溝槽之間形成體區；形成ILD層覆蓋溝槽、體區及第三外延層；在第三外延層上形成金屬鈍化層；對基底進行背面減薄，并減薄至去除P柱厚度為1至5微米；在基底背面形成一層場截止注入層；在基底背面的P柱端形成硼注入層；在基底背面形成一層金屬電極。本發明通過減薄去除P柱底部倒角區域來穩定擊穿電壓，并減薄芯片厚度來降低導通壓降。

本發明授權一種正面超級結背面IGBT的工藝方法在權利要求書中公布了：1.一種正面超級結背面IGBT的工藝方法，其特征在于，至少包括：步驟一、提供基底，在所述基底正面依次形成第一外延層以及位于所述第一外延層上的第二外延層；步驟二、形成穿透所述第一、第二外延層至所述基底中的多個深溝槽；并在所述深溝槽中填充P型外延材料，形成P柱；步驟三、所述第二外延層表面形成有N型埋層；在所述N型埋層以及所述P柱上表面形成第三外延層；之后在所述第三外延層中的每個所述P柱上方兩側形成溝槽；之后在每個所述溝槽之間形成體區；步驟四、形成ILD層覆蓋所述溝槽、體區以及第三外延層；之后在所述第三外延層上形成金屬鈍化層；步驟五、對所述基底進行背面減薄，并且減薄至去除所述P柱厚度為1至5微米；步驟六、在所述基底背面形成一層場截止注入層；之后在所述基底背面的所述P柱端形成硼注入層；步驟七、在所述基底背面形成一層金屬電極。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華虹宏力半導體制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江高科技園區祖沖之路1399號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。