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龍圖騰網(wǎng)恭喜上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司申請的專利一種集成肖特基二極管的屏蔽柵溝槽MOSFET的制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115274566B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210806645.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B80/00；該發(fā)明授權(quán)一種集成肖特基二極管的屏蔽柵溝槽MOSFET的制作方法是由顧昊元;蔡晨;李亮設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-07-08向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種集成肖特基二極管的屏蔽柵溝槽MOSFET的制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種集成肖特基二極管的屏蔽柵溝槽MOSFET的制作方法，用現(xiàn)有工藝在襯底上形成柵極溝槽、肖特基溝槽、屏蔽電極、隔離介質(zhì)層，并生長柵氧化層；采用光刻工藝去除肖特基區(qū)域溝槽側(cè)壁及其襯底表面的柵氧化層；在襯底表面二次生長柵氧化層；淀積多晶硅，并回刻至襯底表面；對襯底進(jìn)行離子注入形成體區(qū)；采用干法刻蝕工藝將襯底表面的柵氧化層全部刻蝕掉；利用爐管氧化熱處理進(jìn)行本體推陷以產(chǎn)生厚度一致的氧化膜層；對襯底進(jìn)行離子注入形成源區(qū)，并利用爐管熱處理進(jìn)行源區(qū)推陷。本發(fā)明將襯底表面柵氧化層刻蝕光，再進(jìn)行帶氧化體區(qū)的爐管熱處理推陷，從而控制源區(qū)注入前的氧化膜厚度，使肖特基和MOS管的源區(qū)注入深度一致，進(jìn)而改善器件的漏電。

本發(fā)明授權(quán)一種集成肖特基二極管的屏蔽柵溝槽MOSFET的制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種集成肖特基二極管的屏蔽柵溝槽MOSFET的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：步驟一、用現(xiàn)有工藝在襯底上形成柵極溝槽、肖特基溝槽、屏蔽電極、隔離介質(zhì)層，并生長柵氧化層；步驟二、采用光刻工藝去除肖特基區(qū)域溝槽側(cè)壁及其襯底表面的柵氧化層；步驟三、在所述襯底表面二次生長柵氧化層；步驟四、淀積多晶硅，并對所述多晶硅進(jìn)行回刻至襯底表面；步驟五、對所述襯底進(jìn)行離子注入形成體區(qū)；步驟六、采用干法刻蝕工藝將襯底表面的柵氧化層全部刻蝕掉；步驟七、利用爐管氧化熱處理進(jìn)行本體推陷以產(chǎn)生厚度一致的氧化膜層；步驟八、對所述襯底進(jìn)行離子注入形成源區(qū)，并利用爐管熱處理進(jìn)行源區(qū)推陷。

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