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龍圖騰網恭喜廣東工業大學申請的專利一種碲納米線/二硫化錸的混維偏振光電探測器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115483308B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210926073.8，技術領域涉及：H10F71/00；該發明授權一種碲納米線/二硫化錸的混維偏振光電探測器及其制備方法是由楊玉玨;李鑫;王瀚宇;霍能杰;董華鋒;張欣;吳福根設計研發完成，并于2022-08-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種碲納米線/二硫化錸的混維偏振光電探測器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種碲納米線二硫化錸的混維偏振光電探測器及其制備方法，該光電探測器包括襯底，設置于襯底上的薄層ReS2，設置于薄層ReS2上的碲納米線，該薄層ReS2上和碲納米線的一端分別設置有電極層，且該薄層ReS2選用優化后的CVD工藝生長，碲納米線選用PVD工藝生長，薄層ReS2和碲納米線經PVDPDMS干法轉移技術轉移至目標襯底上，形成一維二維的混維異質結；在異質結兩端設置金屬電極，制成偏振光電探測器。該探測器表現出優良的伏效應，動態光響應時間約20ms，并且表現出優越的偏振敏感光檢測性能，各向異性光電流比達2.7。

本發明授權一種碲納米線/二硫化錸的混維偏振光電探測器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種碲納米線二硫化錸的混維偏振光電探測器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：選用水平管式爐和CVD工藝生長二維ReS2，包括稱量質量比為100至2000的前驅體硫粉和ReO3粉末，分別放置于石英舟中，將盛放有ReO3粉末的石英舟放置于水平管式爐的中部位置，盛有硫粉的石英舟放在水平管式爐中上游段靠近管口位置，生長襯底放置在ReO3石英舟的正上方，首先，使用高純度的氬氣排凈石英管中的空氣；然后在45～60min內加熱到600～800℃，在80～100sccm恒流高純度氬氣下，保持溫度15～20min；最后，隨爐冷卻至室溫；選用PVD工藝在管式爐中生長Te納米線，包括將高純度的Te粉末放置于石英舟中，隨后將該石英舟放置于管式爐的中部位置，SiO2Si生長襯底放置于氣流的下游區域，隨后在無氧的環境中，設置管式爐在25~30min內加熱至450～500℃時，通入氣體流量為100～500sccm的氬氣和氫氣的混合氣體，保持生長時間為1~3min，隨后關閉氣體，在空氣中快速冷卻；選用PVA干法轉移工藝，將厚度為1～50nm的ReS2薄層轉移至SiO2Si襯底上；選用PVA干法轉移工藝，將Te納米線轉移至ReS2薄層上，形成碲納米線二硫化錸混維異質結；在所述Te納米線的一端和ReS2薄層上分別制作第一電極和第二電極，第一電極不與ReS2薄層接觸，第二電極不與Te納米線接觸。

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