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龍圖騰網恭喜中國電子科技集團公司第四十四研究所申請的專利多晶硅輔助刻蝕的黑硅微結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115347062B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210986695.X，技術領域涉及：H10F77/70；該發明授權多晶硅輔助刻蝕的黑硅微結構及其制備方法是由黃建;鐘玉杰;向華兵;楊修偉;袁安波;姜華男;廖乃鏝設計研發完成，并于2022-08-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本多晶硅輔助刻蝕的黑硅微結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種多晶硅輔助刻蝕的黑硅微結構及其制備方法，包括在硅片表面生長一多晶硅層，多晶硅層形成有一具有第一粗糙度的初始表面；對多晶硅層進行摻雜、氧化工藝，在硅片表面形成一表面具有第二粗糙度的二氧化硅層，得到刻蝕掩膜結構；利用刻蝕掩膜結構同步刻蝕二氧化硅層及硅片的襯底，將刻蝕掩膜結構按照預設比例轉移至襯底上，形成黑硅微結構，工藝簡單，成本低，制備過程對設備的硬件要求低，有利于批量化生產并且與硅光電器件工藝兼容性好，制備的黑硅微納結構精細化程度適中，近紅外吸收效果好。

本發明授權多晶硅輔助刻蝕的黑硅微結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種多晶硅輔助刻蝕的黑硅微結構制備方法，其特征在于，包括以下步驟：生長多晶硅層：在硅片表面生長一多晶硅層，其中，所述多晶硅層形成有一具有第一粗糙度的初始表面；多晶硅層預處理：對多晶硅層進行摻雜、氧化工藝，在硅片表面形成一表面具有第二粗糙度的二氧化硅層，得到刻蝕掩膜結構；其中，在多晶硅層中注入或摻雜預設劑量的雜質，所述雜質的摻雜劑量為1018cm-3～1022cm-3，摻雜氣體為N2POCl3O2，摻雜氣體氣壓為100mtorr～800mtorr，摻雜溫度為800℃～1100℃，摻雜時間為60min～80min；黑硅微結構刻蝕轉移成型：利用所述刻蝕掩膜結構同步刻蝕二氧化硅層及硅片的襯底，將刻蝕掩膜結構按照預設比例轉移至襯底上，形成黑硅微結構；其中，刻蝕氣壓為30mtorr～300mtorr，刻蝕時DC功率為60w～500w，磁場強度為20Gauss～100Gauss，刻蝕溫度為0℃～200℃。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國電子科技集團公司第四十四研究所，其通訊地址為：400060 重慶市南岸區南坪花園路14號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。