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龍圖騰網恭喜武漢光谷量子技術有限公司申請的專利用于SPAD的接觸層及其制備方法，以及一種SPAD及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115513312B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211144013.7，技術領域涉及：H10F77/20；該發明授權用于SPAD的接觸層及其制備方法，以及一種SPAD及其制備方法是由熊祎靈;曾磊設計研發完成，并于2022-09-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于SPAD的接觸層及其制備方法，以及一種SPAD及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種用于單光子雪崩光電二極管SPAD的接觸層，其為由外延晶圓的阻擋層上表面、從兩側向中間逐級向下凹陷形成的N級同軸對稱臺階結構。本發明還涉及一種用于SPAD的接觸層的制備方法，其包括：對外延晶圓的阻擋層進行N次刻蝕得到接觸層。本發明提供的接觸層的厚度從兩側向中間逐漸減小，使得SPAD在完成pn結的制備過程中，只需要一次鋅擴散就能夠得到有源區邊緣擴散深度小于中間區域且曲率半徑更大的鋅擴散形貌，從而實現在有效防止邊緣預先擊穿的同時，增強橫向電場分量，減少電荷持續效應對SPAD的單光子性能的影響。此外，本發明還涉及一種SPAD及其制備方法。

本發明授權用于SPAD的接觸層及其制備方法，以及一種SPAD及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種用于單光子雪崩光電二極管SPAD的接觸層的制備方法，其特征在于，所述接觸層為由外延晶圓的阻擋層上表面、從兩側向中間逐級向下凹陷形成的N級同軸對稱臺階結構；其中，N≥3；所述制備方法包括：對外延晶圓的阻擋層進行N次刻蝕得到接觸層；所述制備方法具體包括如下步驟：在阻擋層表面制作掩膜窗口，以對阻擋層進行刻蝕，形成含有一級同軸對稱臺階的接觸層；將每次所得接觸層作為阻擋層，重復上述步驟制作掩膜窗口并刻蝕，直至形成含有N級同軸對稱臺階的接觸層；其中，后一次掩膜窗口的直徑小于前一次掩膜窗口的直徑；所述阻擋層的材料為由多種不同組成的In1-xGaxAsyP1-y上下層疊形成的復合材料；其中，y值從上至下逐漸減小，相鄰兩層的y值之差≥0.2；0≤x≤1，0≤y≤1。

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