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龍圖騰網恭喜杭州科技職業技術學院;浙江工業大學申請的專利碳化硅晶片拋光設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115502870B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211294837.2，技術領域涉及：B24B29/02；該發明授權碳化硅晶片拋光設備是由張學良;袁巨龍;鄧乾發;杭偉;王佳煥設計研發完成，并于2022-10-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本碳化硅晶片拋光設備在說明書摘要公布了：本發明涉及一種碳化硅晶片拋光設備，包括拋光機械臂、晶片表面等離子軟化處理裝置、晶片表面拋光裝置。拋光機械臂的晶片吸盤上設有晶片電極，晶片電極與晶片吸盤拾取的碳化硅晶片導通，晶片表面等離子軟化處理裝置包括脈沖電源、不銹鋼電極。水基電解液在脈沖電壓作用下與碳化硅晶片的表面發生等離子體活化改性反應生成軟化層，再通過晶片表面拋光裝置打磨去除碳化硅晶片表面上的軟化層。本發明采用拋光機械臂、晶片表面等離子軟化處理裝置、晶片表面拋光裝置相結合的自動化精密拋光工藝，相比現有主要依靠人工操作，缺乏專用的拋光設備的工藝方案具有拋光效率高、拋光效果更佳的特點。

本發明授權碳化硅晶片拋光設備在權利要求書中公布了：1.碳化硅晶片拋光設備，其特征是包括拋光機械臂、晶片表面等離子軟化處理裝置、晶片表面拋光裝置，所述拋光機械臂上設有晶片吸盤，所述晶片吸盤上設有晶片電極，所述晶片電極與所述晶片吸盤拾取的碳化硅晶片導通，碳化硅晶片通過所述拋光機械臂運送至所述晶片表面等離子軟化處理裝置的加工工位，所述晶片表面等離子軟化處理裝置包括脈沖電源、不銹鋼電極，所述不銹鋼電極通過所述脈沖電源與所述晶片電極電連接，設在所述不銹鋼電極與碳化硅晶片間的水基電解液在預定電壓閾值、脈沖頻率的脈沖電壓作用下與碳化硅晶片的表面發生等離子體活化改性反應，等離子體活化改性反應在碳化硅晶片表面生成軟化層，生成軟化層的碳化硅晶片通過所述拋光機械臂運送至所述晶片表面拋光裝置的加工工位，所述晶片表面拋光裝置打磨去除碳化硅晶片表面上的軟化層；所述拋光機械臂包括旋轉立柱，所述旋轉立柱包括驅動底座、立柱本體，所述驅動底座內設有旋轉驅動電機，所述旋轉驅動電機的輸出端向上與所述立柱本體的下端傳動連接，所述立柱本體的上端設有吸盤懸臂，所述吸盤懸臂的遠端設有所述晶片吸盤，所述立柱本體內設有懸臂升降機構，所述懸臂升降機構驅動所述吸盤懸臂升降運動；所述立柱本體內設有所述懸臂升降機構，所述懸臂升降機構包括升降螺柱，所述升降螺柱的下端與螺柱電機傳動連接，所述升降螺柱的上端與所述立柱本體內的頂部形成軸向定位連接，所述升降螺柱與升降內螺塊形成螺紋傳動連接，伸出所述立柱本體一側上的升降通槽的所述升降內螺塊的一端與所述吸盤懸臂連接，所述升降內螺塊的另一端與所述立柱本體內側壁上的升降導軌形成升降導向滑動連接；所述晶片吸盤包括圓柱狀的吸盤殼體，所述吸盤殼體內設有負壓腔，所述負壓腔的一端與外部負壓氣源連通，所述負壓腔的另一端與中心氣道、多個弧形氣道連通，所述弧形氣道的弧形吸口等距環設在所述吸盤殼體的吸附端的邊沿上，所述中心氣道的吸口設在所述吸盤殼體的吸附端的中央部；所述晶片表面等離子軟化處理裝置包括軟化處理平臺，所述軟化處理平臺的臺面上設有軟化處理槽，所述軟化處理槽的底面上設有電極安裝槽，所述電極安裝槽內設有所述不銹鋼電極，所述軟化處理槽的底面上開設有電解液加液口，所述電解液加液口與電解液供液箱連通；還包括上料裝置、下料裝置，所述上料裝置包括上料傳送帶，所述上料傳送帶上沿傳送方向間隔設有多個上料托盤，所述下料裝置包括下料傳送帶，所述下料傳送帶上沿傳送方向間隔設有多個下料托盤，所述拋光機械臂從上料托盤內拾取待處理的碳化硅晶片，所述拋光機械臂將處理過的碳化硅晶片運送至所述下料托盤內。

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