恭喜南京中科微電子有限公司陳一喧獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜南京中科微電子有限公司申請的專利開關電源的分段線性斜波補償電路獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115498854B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202211336358.2,技術領域涉及:H02M1/00;該發明授權開關電源的分段線性斜波補償電路是由陳一喧;肖時茂設計研發完成,并于2022-10-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本開關電源的分段線性斜波補償電路在說明書摘要公布了:本申請關于一種開關電源的分段線性斜波補償電路,涉及集成電路設計技術領域。該電路包括方波產生電路、電容充放電網絡電路、電壓調整電路以及斜波電流產生電路;所述方波產生電路、所述電容充放電網絡電路、所述電壓調整電路以及所述斜波電流產生電路順次連接。該電路采用分段線性斜波補償的方法,在消除峰值電流模式控制產生的次諧波振蕩的同時,減少了占空比使電路峰值電流的下降程度,提高了開關電源的帶負載能力。在保證電路結構簡單的同時,所需參考信號可以由振蕩器輸入參考電壓分壓產生,進而使得控制過程中開關電源的運行穩定性。
本發明授權開關電源的分段線性斜波補償電路在權利要求書中公布了:1.一種開關電源的分段線性斜波補償電路,其特征在于,所述電路包括方波產生電路、電容充放電網絡電路、電壓調整電路以及斜波電流產生電路;所述方波產生電路、所述電容充放電網絡電路、所述電壓調整電路以及所述斜波電流產生電路順次連接;所述方波產生電路中包括第一比較器以及第二比較器;所述第一比較器的負向接低參考電壓電源,正向接鋸齒波信號生成電路,所述第二比較器的負向接高參考電壓電源,正向接鋸齒波信號生成電路;所述電容充放電網絡電路中包括第一PMOS管,第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一電容、第二電容以及第三電容;所述第一PMOS管與所述第二PMOS管的柵端相連,所述第二PMOS管的漏端與所述第一PMOS管、所述第一NMOS管、第二NMOS管、第五NMOS管以及第三電容組成回路,所述第一PMOS管的源端接電源;所述第一NMOS管的柵端與所述第一比較器的輸出端連接,所述第一NMOS管的源端與所述第一電容以及所述第三NMOS管連接;所述第二NMOS管的柵端與所述第二比較器的輸出端連接,所述第二NMOS管的源端與所述第二電容以及所述第四NMOS管連接;所述第三NMOS管與所述第一電容并聯,所述第四NMOS管與所述第二電容并聯,所述第五NMOS管與所述第三電容并聯;所述第一電容、所述第二電容、所述第三電容、所述第三NMOS管的源端、所述第四NMOS管的源端以及所述第五NMOS管的源端接地;所述電壓調整電路中包括第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管以及第九NMOS管;所述第三PMOS管以及所述第四PMOS管的柵端與所述第二PMOS管的柵端連接,所述第三PMOS管的漏端與所述第六NMOS管的漏端相連,所述第六NMOS管的漏端與所述第七NMOS管的漏端連接,所述第三PMOS管的柵端與所述第七NMOS管的柵端相對;所述第四NMOS管的漏端與所述第六NMOS管的漏端連接,所述第五NMOS管的漏端與所述第七NMOS管的漏端連接;所述第六NMOS管以及所述第七NMOS管接地;所述第六NMOS管的源端與所述第八NMOS管的漏端、所述第八NMOS管的源端以及所述第九NMOS管的柵端連接;所述第七NMOS管的源端與所述第九NMOS管的漏端連接;所述第八NMOS管以及第九NMOS管的源端接地;所述第五PMOS管的柵端與所述第一NMOS管以及所述第二NMOS管的漏端相連,所述第五PMOS管的漏端與所述第七NMOS管的源端相連;所述斜波電流產生電路中包括電阻、第六PMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管以及第十三NMOS管;所述第六PMOS管的柵端與所述第四PMOS管漏端連接,所述第六PMOS管的源端與接電源,所述第六PMOS管的漏端與所述第五PMOS管的源端以及所述電阻的一端連接;所述電阻的另一端與所述第十NMOS管的漏端、所述第十NMOS管的源端以及所述第十三NMOS管的漏端以及所述第十一NMOS管的柵端連接;所述第十三NMOS管的柵端與占空比二12的方波信號連接,所述第十三NMOS管的源端與所述第十二NMOS管的柵端和漏端相連,所述第十二NMOS管的源端、所述第十NMOS管的源端以及所述第十一NMOS管的源端接地。
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