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龍圖騰網(wǎng)恭喜電子科技大學申請的專利C波段超低損耗自偏置六角旋磁鐵氧體材料及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119176714B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-18發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411368264.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C04B35/40；該發(fā)明授權(quán)C波段超低損耗自偏置六角旋磁鐵氧體材料及其制備方法是由鄔傳健;楚兆龍;孫科;余忠;李啟帆;蔣曉娜;蘭中文設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-09-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本C波段超低損耗自偏置六角旋磁鐵氧體材料及其制備方法在說明書摘要公布了：一種C波段超低損耗自偏置六角旋磁鐵氧體材料，屬于鐵氧體材料制備技術(shù)領(lǐng)域。所述鐵氧體材料包括重量比為0.1～10的BiCaZrVIn?YIG旋磁鐵氧體材料和LaScBiCu?BaM六角旋磁鐵氧體材料；摻雜劑占鐵氧體材料的重量百分比，以氧化物計算：0.3～0.7wt％La2O3、0.4～0.8wt％SiO2和0.5～0.9wt％SrTiO3。本發(fā)明在低損耗BiCaZrVIn?YIG旋磁鐵氧體顆粒表面生長兼具高MrMs和Hc特性的LaScBiCu?BaM六角旋磁鐵氧體，研制兼具高而可調(diào)各向異性場Ha、高矯頑力Hc和剩磁比MrMs、超低鐵磁共振線寬△H和介電損耗tanδε特征的六角旋磁鐵氧體材料，滿足C波段微型集成器件低損耗寬帶寬的工程化需求問題。

本發(fā)明授權(quán)C波段超低損耗自偏置六角旋磁鐵氧體材料及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種C波段超低損耗自偏置六角旋磁鐵氧體材料，其特征在于，包括BiCaZrVIn-YIG旋磁鐵氧體材料和LaScBiCu-BaM六角旋磁鐵氧體材料；其中BiCaZrVIn-YIG旋磁鐵氧體材料組分包括10.5～13.5mol％Bi2O3、7.5～14.5mol％CaCO3、10.5～15.5mol％ZrO2、0.5～5.5mol％V2O5、0.5～4.5mol％In2O3、12.5～18.5mol％Y2O3和40.5～48.5mol％Fe2O3；LaScBiCu-BaM六角旋磁鐵氧體材料組分包括0.5～3.5mol％La2O3、3.5～10.5mol％Sc2O3、1.5～7.5mol％Bi2O3、2.5～9.5mol％CuO、8.5～15.5mol％BaCO3和63.5～75.5mol％Fe2O3；BiCaZrVIn-YIG旋磁鐵氧體材料和LaScBiCu-BaM六角旋磁鐵氧體材料的重量比為0.1～10；摻雜劑占C波段超低損耗自偏置六角旋磁鐵氧體材料的重量百分比，以氧化物計算：0.3～0.7wt.％La2O3、0.4～0.8wt.％SiO2和0.5～0.9wt.％SrTiO3。

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