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龍圖騰網恭喜東華大學申請的專利一種腦機接口用絲素蛋白基柔性神經電極器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119064432B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411555372.0，技術領域涉及：G01N27/327；該發明授權一種腦機接口用絲素蛋白基柔性神經電極器件是由張耀鵬;黃啟楣;姚響;胡展翱;范蘇娜;牛欠欠設計研發完成，并于2024-11-04向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種腦機接口用絲素蛋白基柔性神經電極器件在說明書摘要公布了：本發明涉及一種腦機接口用絲素蛋白基柔性神經電極器件，絲素蛋白基柔性神經電極器件上集成有離子選擇性電極和參比電極，離子選擇性電極包括絲素蛋白基底、PEDOT:PSSCNFs導電層、離子選擇性膜和絲素蛋白封裝層；PEDOT:PSSCNFs導電層中的PEDOT:PSS分子鏈穿插固定到絲素蛋白基底上的絲素蛋白分子鏈之間；參比電極包括絲素蛋白基底、AgAgCl導電層、PVB薄膜和絲素蛋白封裝層；絲素蛋白基底為絲素蛋白薄膜，絲素蛋白封裝層為單寧酸改性的絲素蛋白薄膜；絲素蛋白薄膜的楊氏模量為10MPa以下。本發明產品可以更有效地監測對應組織的神經電信號和離子信號，可最大化地提高檢測的精度和準確性。

本發明授權一種腦機接口用絲素蛋白基柔性神經電極器件在權利要求書中公布了：1.一種腦機接口用絲素蛋白基柔性神經電極器件，絲素蛋白基柔性神經電極器件上集成有離子選擇性電極和參比電極，其特征在于：離子選擇性電極包括絲素蛋白基底、PEDOT:PSSCNFs導電層、離子選擇性膜和絲素蛋白封裝層，絲素蛋白基底、PEDOT:PSSCNFs導電層和離子選擇性膜自下而上排列；PEDOT:PSSCNFs導電層中的PEDOT:PSS分子鏈穿插固定到絲素蛋白基底上的絲素蛋白分子鏈之間；參比電極包括絲素蛋白基底、AgAgCl導電層、PVB薄膜和絲素蛋白封裝層，絲素蛋白基底、AgAgCl導電層和PVB薄膜自下而上排列；絲素蛋白基底為絲素蛋白薄膜，絲素蛋白封裝層為單寧酸改性的絲素蛋白薄膜；絲素蛋白薄膜的楊氏模量為10MPa以下；離子選擇性電極的制備步驟如下：1首先將蠶繭在質量分數為0.5％的碳酸鈉溶液中煮沸脫膠獲得脫膠絲素纖維，然后使用甲酸氯化鈣混合溶液對脫膠絲素纖維進行溶解，得到含有鈣離子的絲素蛋白溶液，最后向含有鈣離子的絲素蛋白溶液中加入飽和硫酸鈉溶液，經離心過濾后，制得含有鈉離子的絲素蛋白溶液；2將PEDOT:PSS溶液與CNFs混合后，在300rpm下機械攪拌20分鐘，得到分散均勻的PEDOT:PSSCNFs混合液；3采用壓電式按需噴墨打印技術將PEDOT:PSSCNFs混合液打印至硅片上，獲得噴墨打印有PEDOT:PSSCNFs圖案的硅片；4采用流延法將0.5～1mL的絲素蛋白溶液澆筑于噴墨打印有PEDOT:PSSCNFs圖案的硅片上，用梯度升溫加熱法加熱使絲素蛋白溶液固化；待含有鈉離子的絲素蛋白溶液固化后，在4℃下放置24h，然后使硅片脫離，即在絲素蛋白基底上形成PEDOT:PSSCNFs導電層；5將離子選擇性前驅體溶液按照1～6μLmm2涂抹在PEDOT:PSSCNFs導電層的接觸位點表面，放置24h使溶劑完全揮發，然后在濃度為0.1molL的目標離子溶液中浸泡調節24h，即在PEDOT:PSSCNFs導電層表面形成離子選擇性膜；6采用流延法將0.5～1mL絲素蛋白溶液澆筑于硅片上，用梯度升溫加熱法加熱使絲素蛋白溶液固化；待含有鈉離子的絲素蛋白溶液固化后，使硅片與絲素蛋白薄膜脫離，在絲素蛋白薄膜上裁出接觸位點的位置，將其貼附在經步驟1～5制備的器件表面；7將質量分數為2～8％的單寧酸溶液旋涂于步驟6的絲素蛋白薄膜表面，在室溫下放置6h，發生交聯，即形成絲素蛋白封裝層。

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