恭喜浙江創芯集成電路有限公司呂軍軍獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜浙江創芯集成電路有限公司申請的專利金屬硅化物方塊電阻的測試結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119132941B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411630638.3，技術領域涉及：H01L21/28；該發明授權金屬硅化物方塊電阻的測試結構及其制備方法是由呂軍軍;陶然設計研發完成，并于2024-11-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本金屬硅化物方塊電阻的測試結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種金屬硅化物方塊電阻的測試結構及其制備方法，通過在進行MOS器件相應結構制備所需的第二次離子注入之前，先進行離子摻雜類型相反的第一次離子注入并低溫退火，以修復第一次離子注入引起的晶格損傷并將第二次離子注入的摻雜離子盡可能耗盡，使測試結構中的硅材料趨近于本征硅的導電特性，以在對MOS器件相應結構上的金屬硅化物方塊電阻進行測量時，測量的方塊電阻結果僅是MOS器件相應結構上的金屬硅化物的方塊電阻，進而可準確監控金屬硅化物的厚度工藝參數以及MOS器件相應結構的尺寸等關鍵工藝參數以及該些參數在晶圓上均勻性；另外，低溫退火修復硅晶格的損傷，不增加額外的熱預算，不會影響器件的電性能。
本發明授權金屬硅化物方塊電阻的測試結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種金屬硅化物方塊電阻的測試結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：提供硅晶圓，并于所述硅晶圓表面上形成MOS管的多晶硅柵極；對所述多晶硅柵極進行第一次離子注入，并低溫退火，所述低溫退火的溫度不大于500℃；對所述多晶硅柵極進行第二次離子注入；其中，所述第一次離子注入的離子摻雜類型與所述第二次離子注入的離子摻雜類型相反，所述第二次離子注入的離子注入參數與MOS管源區及漏區的離子注入參數相同，且所述第一次離子注入的離子注入劑量是所述第二次離子注入的離子注入劑量的0.3倍~3倍；對所述硅晶圓進行快速熱退火；于所述多晶硅柵極表面形成金屬硅化物。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江創芯集成電路有限公司，其通訊地址為：311200 浙江省杭州市蕭山區寧圍街道平瀾路2118號浙江大學杭州國際科創中心水博園區11幢4層-5層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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