恭喜浙江大學盛況獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜浙江大學申請的專利一種非對稱超級結MOSFET結構及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119153535B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411651338.3，技術領域涉及：H10D30/63；該發明授權一種非對稱超級結MOSFET結構及其制造方法是由盛況;王珩宇;程浩遠;張弛設計研發完成，并于2024-11-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種非對稱超級結MOSFET結構及其制造方法在說明書摘要公布了：一種非對稱超級結MOSFET結構及其制造方法，屬于半導體技術領域，一種超級結MOSFET結構，包括襯底及元胞結構；所述元胞結構包括：第一柱區，包括N型漂移區；第二柱區，設置在第一柱區中，包括柱區結構和設置在柱區結構上的柵極結構；第三柱區，包括側壁P柱區，側壁P柱區為離子注入式P柱區，側壁P柱區與相鄰的N型漂移區電荷平衡；第三柱區設置在第二柱區與第一柱區之間，第三柱區設置在第二柱區的一側。本申請通過深溝槽離子注入的側壁P柱區，使得側壁P柱區與對應的N型漂移區的電荷平衡控制更為精準；同時，由于超級結的PN結位置遠離刻蝕界面，降低了缺陷界面處的電場，提升了產品的可靠性，也避免了多次外延，有助于節約超級結MOSFET的制造成本。
本發明授權一種非對稱超級結MOSFET結構及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種非對稱超級結MOSFET結構制造方法，其特征在于，包括如下步驟：構造初始MOSFET結構；其中，所述初始MOSFET結構包括襯底、N型漂移區、P阱區和N+區；在初始MOSFET結構的上表面構造掩膜，刻蝕深溝槽；通過僅對深溝槽的一側進行第一次離子注入，在N型漂移區的一側構造側壁P柱區；所述側壁P柱區與對應的N型漂移區電荷平衡；通過僅對深溝槽的一側進行第二次離子注入，在側壁P柱區上構造側壁P+區；去除所述掩膜；填充深溝槽，以形成柱區結構；在每一柱區結構的頂部構造柵極結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江大學，其通訊地址為：310000 浙江省杭州市西湖區余杭塘路866號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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