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龍圖騰網恭喜中國科學院長春光學精密機械與物理研究所申請的專利一種制備光探測器陣列的方法及光探測器陣列獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119212525B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411720419.4，技術領域涉及：H10K71/12；該發明授權一種制備光探測器陣列的方法及光探測器陣列是由李紹娟;戚劉健;鄒雨婷;張楠;杜雨;劉志林設計研發完成，并于2024-11-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種制備光探測器陣列的方法及光探測器陣列在說明書摘要公布了：本申請涉及半導體技術領域，本申請提供一種制備光探測器陣列的方法及光探測器陣列，所述方法包括：提供SiSiO2基底；在所述SiSiO2基底上形成光刻膠薄膜，對所述光刻膠薄膜進行陣列化圖案制備；在陣列化圖案的所述SiSiO2基底上，通過電子束蒸發的方式沉積鉑材料或鈀材料，得到陣列化的鉑圖案或鈀圖案；將具有陣列化鉑圖案或鈀圖案的所述基底放入化學氣相沉積系統中，通過硒化或硫化處理得到陣列化的窄帶隙二維材料圖案；在陣列化的窄帶隙二維材料圖案上旋涂光刻膠，使所述光刻膠一部分遮擋二維材料圖案、一部分遮擋所述SiSiO2基底；旋涂準二維鈣鈦礦薄膜，制備準二維鈣鈦礦二維材料陣列。

本發明授權一種制備光探測器陣列的方法及光探測器陣列在權利要求書中公布了：1.一種制備光探測器陣列的方法，其特征在于,包括：提供SiSiO2基底；在所述SiSiO2基底上形成光刻膠薄膜，對所述光刻膠薄膜進行陣列化圖案制備；所述對所述光刻膠薄膜進行陣列化圖案制備，包括：對所述光刻膠薄膜進行光刻，形成陣列化光刻圖案；對陣列化光刻圖案進行顯影，形成裸露SiSiO2基底的陣列化圖案；在陣列化圖案的所述SiSiO2基底上，通過電子束蒸發的方式沉積鉑材料或鈀材料，得到陣列化的鉑圖案或鈀圖案；將具有陣列化鉑圖案或鈀圖案的所述基底放入化學氣相沉積系統中，通過硒化或硫化處理得到陣列化窄帶隙二維材料圖案；在陣列化的窄帶隙二維材料圖案上旋涂光刻膠，使所述光刻膠一部分遮擋二維材料圖案、一部分遮擋所述SiSiO2基底；其中，遮擋窄帶隙二維材料圖案的面積大于遮擋SiSiO2基底的面積，遮擋比例為1.3-2.5之間；利用真空烘烤箱蒸發疏水小分子，得到親水、疏水分明的陣列圖案化基底；被光刻膠遮擋的部分SiSiO2基底和部分窄帶隙二維材料圖案形成親水區，未被光刻膠遮擋的部分SiSiO2基底和部分裸露的窄帶隙二維材料圖案形成疏水區；旋涂準二維鈣鈦礦薄膜，使其形成于上述疏水區，制備準二維鈣鈦礦二維材料異質結陣列。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院長春光學精密機械與物理研究所，其通訊地址為：130033 吉林省長春市經濟技術開發區東南湖大路3888號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。