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龍圖騰網(wǎng)獲悉金陽(泉州)新能源科技有限公司申請(qǐng)的專利一種特定受光面鈍化的背接觸電池及其制備方法和應(yīng)用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119325306B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-18發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202411866128.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F77/30；該發(fā)明授權(quán)一種特定受光面鈍化的背接觸電池及其制備方法和應(yīng)用是由林楷睿設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-12-18向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種特定受光面鈍化的背接觸電池及其制備方法和應(yīng)用在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于背接觸電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種特定受光面鈍化的背接觸電池及其制備方法和應(yīng)用，包括基底，基底具有背光面與受光面，基底受光面依次設(shè)置有第一隧穿氧化層、摻雜非晶硅層與硅介質(zhì)減反層，第一隧穿氧化層的厚度為0.2?1.5nm，所述摻雜非晶硅層摻雜有氧元素與氫元素，所述第一隧穿氧化層摻雜有氫元素，其中所述第一隧穿氧化層中靠近摻雜非晶硅層側(cè)的氫元素含量大于靠近基底側(cè)的氫元素含量。本發(fā)明能夠兼顧較好的鈍化效果及光學(xué)損失，起到增強(qiáng)鈍化的作用，從而提高電池鈍化效果及電流，進(jìn)而提高電池效率，且設(shè)備成本低。

本發(fā)明授權(quán)一種特定受光面鈍化的背接觸電池及其制備方法和應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種特定受光面鈍化的背接觸電池，包括基底，基底具有背光面與受光面，其特征在于，基底受光面依次設(shè)置有第一隧穿氧化層、摻雜非晶硅層與硅介質(zhì)減反層，第一隧穿氧化層接觸基底受光面，第一隧穿氧化層的厚度為0.2-1.3nm，所述摻雜非晶硅層摻雜有氧元素與氫元素，所述第一隧穿氧化層摻雜有氫元素，其中所述第一隧穿氧化層中靠近摻雜非晶硅層側(cè)的氫元素含量大于靠近基底側(cè)的氫元素含量；所述摻雜非晶硅層，以摻雜非晶硅層元素總量計(jì)，氧元素含量為5-60at.%，氫元素含量為1-35at.%；所述第一隧穿氧化層，以第一隧穿氧化層元素總量計(jì)，氫元素含量為1-20at.%。

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