恭喜蘇州芯鎂信電子科技有限公司;桂林聚聯(lián)科技有限公司姚飛獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜蘇州芯鎂信電子科技有限公司;桂林聚聯(lián)科技有限公司申請的專利一種MEMS微鏡及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN119330301B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-18發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202411881670.9,技術(shù)領(lǐng)域涉及:B81C1/00;該發(fā)明授權(quán)一種MEMS微鏡及其制備方法是由姚飛;秦志斌;沈方平;周劍超設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2024-12-19向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種MEMS微鏡及其制備方法在說明書摘要公布了:本申請涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種MEMS微鏡的制備方法,制備方法包括:提供晶圓襯底,晶圓襯底具有相對的正面和背面,正面為用于形成MEMS微鏡的功能面;于晶圓襯底上形成導(dǎo)電柱和第一標(biāo)記,導(dǎo)電柱貫穿晶圓襯底,第一標(biāo)記位于晶圓襯底的背面;于晶圓襯底的正面形成第二標(biāo)記和第一功能結(jié)構(gòu);于晶圓襯底的正面?zhèn)刃纬涉I合層,鍵合層位于導(dǎo)電柱、第二標(biāo)記和第一功能結(jié)構(gòu)的上方;以第一標(biāo)記為套刻對準(zhǔn)點(diǎn),在鍵合層上形成暴露第二標(biāo)記的標(biāo)記窗口;以第二標(biāo)記為套刻對準(zhǔn)點(diǎn),于鍵合層上形成第二功能結(jié)構(gòu),第二功能結(jié)構(gòu)與第一功能結(jié)構(gòu)套刻對準(zhǔn)。基于上述技術(shù)方案能夠有效提升MEMS微鏡制備過程中的對準(zhǔn)精度。
本發(fā)明授權(quán)一種MEMS微鏡及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種MEMS微鏡的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括:提供晶圓襯底,所述晶圓襯底具有相對的正面和背面,所述正面為用于形成MEMS微鏡的功能面;于所述晶圓襯底上形成導(dǎo)電柱,所述導(dǎo)電柱貫穿所述晶圓襯底;于所述晶圓襯底的背面形成第一標(biāo)記;于所述晶圓襯底的正面形成第四標(biāo)記;以所述第四標(biāo)記為套刻對準(zhǔn)點(diǎn),于所述晶圓襯底的正面形成第二標(biāo)記和第一功能結(jié)構(gòu);于所述晶圓襯底的正面?zhèn)刃纬涉I合層,所述鍵合層位于所述導(dǎo)電柱、所述第二標(biāo)記和所述第一功能結(jié)構(gòu)的上方;以所述第一標(biāo)記為套刻對準(zhǔn)點(diǎn),在所述鍵合層上形成暴露所述第二標(biāo)記的標(biāo)記窗口;以所述第二標(biāo)記為套刻對準(zhǔn)點(diǎn),于所述鍵合層上形成第二功能結(jié)構(gòu),所述第二功能結(jié)構(gòu)與所述第一功能結(jié)構(gòu)套刻對準(zhǔn)。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人蘇州芯鎂信電子科技有限公司;桂林聚聯(lián)科技有限公司,其通訊地址為:215168 江蘇省蘇州市吳中經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)興南路21號4號樓5F;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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