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龍圖騰網恭喜云際芯光(珠海)微電子有限公司申請的專利一種襯底加工方法、襯底、光刻方法以及半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119446902B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510047077.2，技術領域涉及：H01L21/027；該發明授權一種襯底加工方法、襯底、光刻方法以及半導體器件是由張福強;董云娜;司威設計研發完成，并于2025-01-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種襯底加工方法、襯底、光刻方法以及半導體器件在說明書摘要公布了：本申請提供了一種襯底加工方法、襯底、光刻方法以及半導體器件，涉及半導體器件制造技術領域。該襯底加工方法包括：采用離子束轟擊襯底的表面，形成包括化學鍵斷裂區域的待加工表面，化學鍵斷裂區域包括化學鍵斷裂形成的多個活躍位點，襯底的材質為親水性材質，親水性材質包括二氧化硅、藍寶石、硅、碳化硅、氮化硅、氮化鎵、氮化鋁中的至少一種；將粘附性氣體附著于待加工表面，形成疏水性表面，疏水性表面用于粘附光刻膠，粘附性氣體包括非極性分子，非極性分子與活躍位點結合形成疏水性表面。本申請實施例能夠有效提升光刻膠在襯底上的粘附性，降低后續加工出現漂膠或側鉆的可能，從而提升光刻效果，避免半導體加工失敗的出現，降低生產成本。

本發明授權一種襯底加工方法、襯底、光刻方法以及半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種襯底加工方法，其特征在于，包括：采用離子束轟擊襯底的表面，形成包括化學鍵斷裂區域的待加工表面，所述化學鍵斷裂區域包括化學鍵斷裂形成的多個活躍位點，所述襯底的材質為親水性材質，所述親水性材質包括二氧化硅、藍寶石、硅、碳化硅、氮化硅、氮化鎵、氮化鋁中的至少一種，所述化學鍵斷裂區域與涂覆光刻膠的區域對應；將粘附性氣體附著于所述待加工表面，形成疏水性表面，包括：將形成有所述待加工表面的襯底放于所述粘附性氣體形成的空間內；高溫處理所述襯底第二預設時間，形成所述疏水性表面，所述疏水性表面用于粘附光刻膠，所述粘附性氣體包括非極性分子，所述非極性分子與所述活躍位點結合形成所述疏水性表面。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人云際芯光(珠海)微電子有限公司，其通訊地址為：519000 廣東省珠海市高新區唐家灣鎮金唐路1號港灣1號科創園17棟5層501室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。