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龍圖騰網恭喜深圳天狼芯半導體有限公司申請的專利屏蔽柵溝槽MOSFET結構及其制備方法、芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119584592B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510136576.9，技術領域涉及：H10D30/63；該發明授權屏蔽柵溝槽MOSFET結構及其制備方法、芯片是由李金耀設計研發完成，并于2025-02-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本屏蔽柵溝槽MOSFET結構及其制備方法、芯片在說明書摘要公布了：本申請屬于功率器件技術領域，提供了一種屏蔽柵溝槽MOSFET結構及其制備方法、芯片，通過使第一N型控制柵多晶硅層、第一N型屏蔽柵多晶硅層、P型屏蔽柵多晶硅層、第二N型屏蔽柵多晶硅層以及第二N型控制柵多晶硅層依次并列設置于N型漂移區的凹槽內，利用第一介電材料層隔離控制柵極和屏蔽柵極隔離電信號，使第一N型屏蔽柵多晶硅層和第二N型屏蔽柵多晶硅層均與P型屏蔽柵多晶硅層接觸，進而利用屏蔽柵極之間反偏的PN結屏蔽接入P型屏蔽柵多晶硅層的低電場，達到使第一N型屏蔽柵多晶硅層和第二N型屏蔽柵多晶硅層處于浮空狀態，以進一步隔離開屏蔽柵極與控制柵極，并降低屏蔽柵溝槽MOSFET器件的電容，優化屏蔽柵溝槽MOSFET器件的開關特性。

本發明授權屏蔽柵溝槽MOSFET結構及其制備方法、芯片在權利要求書中公布了：1.一種屏蔽柵溝槽MOSFET結構，其特征在于，包括：N型襯底；N型漂移區，所述N型漂移區為凹形結構；第一介電材料層，設置于所述N型漂移區的凹槽內；第一N型屏蔽柵多晶硅層、第二N型屏蔽柵多晶硅層、P型屏蔽柵多晶硅層、第一N型控制柵多晶硅層以及第二N型控制柵多晶硅層，所述第一介電材料層包裹所述第一N型屏蔽柵多晶硅層、所述第二N型屏蔽柵多晶硅層、所述P型屏蔽柵多晶硅層、所述第一N型控制柵多晶硅層以及所述第二N型控制柵多晶硅層，所述第一N型屏蔽柵多晶硅層和所述第二N型屏蔽柵多晶硅層分別位于所述P型屏蔽柵多晶硅層的兩側，并與所述P型屏蔽柵多晶硅層接觸，所述第一N型控制柵多晶硅層與所述第一N型屏蔽柵多晶硅層之間由所述第一介電材料層隔離，所述第二N型控制柵多晶硅層與所述第二N型屏蔽柵多晶硅層之間由所述第一介電材料層隔離；第一P型基區、第二P型基區，所述第一P型基區和所述第二P型基區呈L形結構，分別設置于所述N型漂移區的兩側部；第一N型摻雜區、第二N型摻雜區，所述第一N型摻雜區位于L形結構的所述第一P型基區的水平部上，所述第二N型摻雜區位于L形結構的所述第二P型基區的水平部上；漏極層，所述漏極層設置于所述N型襯底的背面；源極層，與所述第一N型摻雜區、所述第二N型摻雜區、所述第一P型基區、所述第二P型基區接觸，并且經所述第一介電材料層上的屏蔽柵源極通孔與所述P型屏蔽柵多晶硅層接觸；柵極層，經所述第一介電材料層上的控制柵柵極通孔與所述第一N型控制柵多晶硅層以及所述第二N型控制柵多晶硅層接觸。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳天狼芯半導體有限公司，其通訊地址為：518063 廣東省深圳市南山區粵海街道高新區社區科技南路18號深圳灣科技生態園12棟裙樓904-905；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。