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龍圖騰網(wǎng)恭喜深圳天狼芯半導(dǎo)體有限公司申請的專利屏蔽柵溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)及其制備方法、芯片獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119584592B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-18發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510136576.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/63；該發(fā)明授權(quán)屏蔽柵溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)及其制備方法、芯片是由李金耀設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-02-07向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本屏蔽柵溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)及其制備方法、芯片在說明書摘要公布了：本申請屬于功率器件技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種屏蔽柵溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)及其制備方法、芯片，通過使第一N型控制柵多晶硅層、第一N型屏蔽柵多晶硅層、P型屏蔽柵多晶硅層、第二N型屏蔽柵多晶硅層以及第二N型控制柵多晶硅層依次并列設(shè)置于N型漂移區(qū)的凹槽內(nèi)，利用第一介電材料層隔離控制柵極和屏蔽柵極隔離電信號，使第一N型屏蔽柵多晶硅層和第二N型屏蔽柵多晶硅層均與P型屏蔽柵多晶硅層接觸，進(jìn)而利用屏蔽柵極之間反偏的PN結(jié)屏蔽接入P型屏蔽柵多晶硅層的低電場，達(dá)到使第一N型屏蔽柵多晶硅層和第二N型屏蔽柵多晶硅層處于浮空狀態(tài)，以進(jìn)一步隔離開屏蔽柵極與控制柵極，并降低屏蔽柵溝槽MOSFET器件的電容，優(yōu)化屏蔽柵溝槽MOSFET器件的開關(guān)特性。

本發(fā)明授權(quán)屏蔽柵溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)及其制備方法、芯片在權(quán)利要求書中公布了：1.一種屏蔽柵溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：N型襯底；N型漂移區(qū)，所述N型漂移區(qū)為凹形結(jié)構(gòu)；第一介電材料層，設(shè)置于所述N型漂移區(qū)的凹槽內(nèi)；第一N型屏蔽柵多晶硅層、第二N型屏蔽柵多晶硅層、P型屏蔽柵多晶硅層、第一N型控制柵多晶硅層以及第二N型控制柵多晶硅層，所述第一介電材料層包裹所述第一N型屏蔽柵多晶硅層、所述第二N型屏蔽柵多晶硅層、所述P型屏蔽柵多晶硅層、所述第一N型控制柵多晶硅層以及所述第二N型控制柵多晶硅層，所述第一N型屏蔽柵多晶硅層和所述第二N型屏蔽柵多晶硅層分別位于所述P型屏蔽柵多晶硅層的兩側(cè)，并與所述P型屏蔽柵多晶硅層接觸，所述第一N型控制柵多晶硅層與所述第一N型屏蔽柵多晶硅層之間由所述第一介電材料層隔離，所述第二N型控制柵多晶硅層與所述第二N型屏蔽柵多晶硅層之間由所述第一介電材料層隔離；第一P型基區(qū)、第二P型基區(qū)，所述第一P型基區(qū)和所述第二P型基區(qū)呈L形結(jié)構(gòu)，分別設(shè)置于所述N型漂移區(qū)的兩側(cè)部；第一N型摻雜區(qū)、第二N型摻雜區(qū)，所述第一N型摻雜區(qū)位于L形結(jié)構(gòu)的所述第一P型基區(qū)的水平部上，所述第二N型摻雜區(qū)位于L形結(jié)構(gòu)的所述第二P型基區(qū)的水平部上；漏極層，所述漏極層設(shè)置于所述N型襯底的背面；源極層，與所述第一N型摻雜區(qū)、所述第二N型摻雜區(qū)、所述第一P型基區(qū)、所述第二P型基區(qū)接觸，并且經(jīng)所述第一介電材料層上的屏蔽柵源極通孔與所述P型屏蔽柵多晶硅層接觸；柵極層，經(jīng)所述第一介電材料層上的控制柵柵極通孔與所述第一N型控制柵多晶硅層以及所述第二N型控制柵多晶硅層接觸。

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