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龍圖騰網(wǎng)恭喜國(guó)科大杭州高等研究院申請(qǐng)的專利基于組分和柵壓聯(lián)合調(diào)控的場(chǎng)效應(yīng)晶體管及制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119604046B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-18發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510145273.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F30/282；該發(fā)明授權(quán)基于組分和柵壓聯(lián)合調(diào)控的場(chǎng)效應(yīng)晶體管及制備方法是由張力波;張拾;張運(yùn)鐸;蕭克寧;王林;陳效雙設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-02-10向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本基于組分和柵壓聯(lián)合調(diào)控的場(chǎng)效應(yīng)晶體管及制備方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明的基于組分和柵壓聯(lián)合調(diào)控的場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法，在本征低阻硅襯底上是二氧化硅層，在二氧化硅層上是源、漏金屬電極，源、漏電極為金屬?gòu)?fù)合電極，包括鉻電極和金電極，源、漏電極溝道填充的底層為鉍硒氧納米片，鉍硒氧納米片上為黑砷磷納米片和頂柵鉍硒氧納米片介質(zhì)層，源、漏電極和柵電極與相應(yīng)的引線電極相連用于連接外部測(cè)試電路。本發(fā)明的基于組分和柵壓聯(lián)合調(diào)控的場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法，通過鉍硒氧納米片封裝，兼具調(diào)整黑砷磷的組分和頂柵柵壓來(lái)優(yōu)化器件在可見光、近紅外和中波紅外范圍內(nèi)的光電性能。

本發(fā)明授權(quán)基于組分和柵壓聯(lián)合調(diào)控的場(chǎng)效應(yīng)晶體管及制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.基于組分和柵壓聯(lián)合調(diào)控的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于：其結(jié)構(gòu)為，在本征低阻硅襯底1上是二氧化硅層2，在二氧化硅層2上是源、漏金屬電極，源、漏電極為金屬?gòu)?fù)合電極，包括鉻電極3和金電極4，源、漏電極溝道填充的底層為鉍硒氧納米片5，鉍硒氧納米片5上為黑砷磷納米片6和頂柵鉍硒氧納米片7介質(zhì)層，源、漏電極和柵10電極與相應(yīng)的引線電極相連用于連接外部測(cè)試電路。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人國(guó)科大杭州高等研究院，其通訊地址為：310024 浙江省杭州市西湖區(qū)象山支弄1號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。