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龍圖騰網恭喜山西創芯光電科技有限公司申請的專利一種新型二類超晶格紅外探測器的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119630111B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510158081.6，技術領域涉及：H10F71/00；該發明授權一種新型二類超晶格紅外探測器的制備方法是由郭健;張培峰;文晉;蘇瑩;薛建凱;馮偉;李斌;陳龍華設計研發完成，并于2025-02-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種新型二類超晶格紅外探測器的制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種新型二類超晶格紅外探測器的制備方法，屬于紅外探測器領域；解決了目前Ⅱ類超晶格紅外探測器的無機膜層通常含有較大的應力，易出現裂紋的問題；包括以下步驟：在外延層上沉積無機掩膜層；在無機掩膜層上方涂布光刻膠，顯影形成圖案化的光刻膠；在無機掩膜層上進行刻蝕形成通孔結構；在通孔結構的無機掩膜層上方形成臺面圖案化光刻膠；在通孔結構的無機掩膜層形成臺面圖形；刻蝕外延層，在通孔結構的無機掩膜層下方形成圖案化的外延層；沉積無機鈍化層；在臺面上進行光刻開孔或刻蝕開孔，對通孔結構的無機掩膜層和無機鈍化層進行刻蝕；本發明用于紅外探測器的制備。

本發明授權一種新型二類超晶格紅外探測器的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種新型二類超晶格紅外探測器的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：S1：掩膜層沉積：在紅外探測器的外延層上沉積無機掩膜層；S2：掩膜層光刻：在無機掩膜層上方涂布光刻膠，在特定位置進行顯影，形成圖案化的光刻膠；S3：掩膜層通孔刻蝕：在無機掩膜層上進行刻蝕形成通孔結構，刻蝕完成后進行清洗去除光刻膠；S4：臺面光刻：在通孔結構的無機掩膜層上方形成臺面圖案化光刻膠，此時通孔處于臺面正下方；S5：掩膜層臺面刻蝕：在通孔結構的無機掩膜層形成臺面圖形，刻蝕完成后進行清洗去除光刻膠；S6：外延層臺面刻蝕：刻蝕外延層，在通孔結構的無機掩膜層下方形成圖案化的外延層；S7：鈍化層沉積：沉積無機鈍化層；S8：鈍化開孔：在臺面上進行光刻開孔或刻蝕開孔，對通孔結構的無機掩膜層和無機鈍化層進行刻蝕，保證無機掩膜層臺面孔外位置的通孔數量≥1；然后制備銦柱進行互聯得到二類超晶格紅外探測器。

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