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龍圖騰網(wǎng)恭喜朗姆研究公司申請(qǐng)的專利用于半導(dǎo)體圖案化應(yīng)用的摻雜ALD膜獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113488379B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110564747.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/033；該發(fā)明授權(quán)用于半導(dǎo)體圖案化應(yīng)用的摻雜ALD膜是由尚卡爾·斯瓦米納坦;理查德·菲利普斯;阿德里安·拉瓦伊設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2017-07-31向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本用于半導(dǎo)體圖案化應(yīng)用的摻雜ALD膜在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明涉及用于半導(dǎo)體圖案化應(yīng)用的摻雜ALD膜。本文描述了使用正性圖案化方案將襯底圖案化的方法和裝置。方法包括接收具有圖案化芯材的襯底，在圖案化芯材上保形沉積摻雜間隔物材料，相對(duì)于摻雜間隔物材料選擇性地蝕刻芯材以形成間隔物掩模，并且使用間隔物掩模蝕刻襯底上的目標(biāo)層。可以使用硼、鎵、磷、砷、鋁和鉿中的任何一種對(duì)間隔物材料進(jìn)行摻雜。實(shí)施方式適用于在多個(gè)圖案化應(yīng)用中的應(yīng)用。

本發(fā)明授權(quán)用于半導(dǎo)體圖案化應(yīng)用的摻雜ALD膜在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種對(duì)襯底進(jìn)行圖案化的方法，該方法包括：a相對(duì)摻雜間隔物選擇性地蝕刻圖案化芯材以形成掩模，其中所述圖案化芯材的蝕刻速率比所述摻雜間隔物的蝕刻速率快5至20倍，并且其中所述摻雜間隔物包含摻雜劑密度介于1E20atcc和5E22atcc之間；以及b使用所述掩模蝕刻目標(biāo)層。

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