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龍圖騰網(wǎng)恭喜蘇州立琻半導(dǎo)體有限公司申請的專利半導(dǎo)體器件和包括該半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體器件封裝獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115241340B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210938217.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/819；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件和包括該半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體器件封裝是由吳炫智;金炳祚;崔洛俊設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2017-11-24向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體器件和包括該半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體器件封裝在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件以及包括該半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體器件封裝。該器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，其包括：具有鋁的第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層；具有鋁且位于第一和第二半導(dǎo)體層之間的有源層；在第二半導(dǎo)體層中展示的強(qiáng)度范圍是在二次離子的第一最小強(qiáng)度和第一最大強(qiáng)度之間；在第一半導(dǎo)體層中展示的強(qiáng)度包括二次離子的第二最小強(qiáng)度，其不同于第一最小強(qiáng)度；在從第二半導(dǎo)體層的表面開始的第一預(yù)設(shè)距離處，第二半導(dǎo)體層展示出與第二最小強(qiáng)度對應(yīng)的二次離子的第一中間強(qiáng)度，第一最大強(qiáng)度出現(xiàn)在從第一預(yù)設(shè)距離開始的第二預(yù)設(shè)距離處；第二預(yù)設(shè)距離對第一預(yù)設(shè)距離的比率是在1:0.2到1:1的范圍內(nèi)。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件和包括該半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體器件封裝在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括：第一半導(dǎo)體層，其包括鋁；第二半導(dǎo)體層，其包括鋁；以及具有鋁并且設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層之間的有源層；其中，在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上轟擊初級離子以濺射所述第一半導(dǎo)體層、所述有源層和所述第二半導(dǎo)體層的多個(gè)部分，二次離子包括所產(chǎn)生的針對所述第一半導(dǎo)體層、所述有源層和所述第二半導(dǎo)體層的各強(qiáng)度的鋁；在所述第二半導(dǎo)體層中展示的強(qiáng)度的范圍是在二次離子的第一最小強(qiáng)度和二次離子的第一最大強(qiáng)度之間；在所述第一半導(dǎo)體層中展示的強(qiáng)度包括二次離子的第二最小強(qiáng)度，所述第二最小強(qiáng)度不同于所述第一最小強(qiáng)度；以及在從所述第二半導(dǎo)體層的表面開始的第一預(yù)設(shè)距離處，所述第二半導(dǎo)體層展示出處于所述第一最小強(qiáng)度和所述第一最大強(qiáng)度之間的與所述第二最小強(qiáng)度對應(yīng)的二次離子的第一中間強(qiáng)度，其中所述第一最大強(qiáng)度出現(xiàn)在從所述第一預(yù)設(shè)距離開始的第二預(yù)設(shè)距離處；其中，所述第二預(yù)設(shè)距離（W1）對所述第一預(yù)設(shè)距離（W2）的比率是在1:0.2到1:1的范圍內(nèi)。

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