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龍圖騰網(wǎng)恭喜朗姆研究公司申請(qǐng)的專利用于半導(dǎo)體處理的基于硅的沉積獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN110520964B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201880025529.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)用于半導(dǎo)體處理的基于硅的沉積是由湯姆·A·坎普;米爾扎菲爾·K·阿巴特切夫設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2018-03-01向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本用于半導(dǎo)體處理的基于硅的沉積在說明書摘要公布了：提供了一種用于處理具有碳基圖案化掩模的堆疊件的方法。將所述堆疊件放置在蝕刻室中。通過原子層沉積，經(jīng)由提供多個(gè)循環(huán)在所述碳基圖案化掩模上沉積氧化硅層，其中，所述多個(gè)循環(huán)中的每個(gè)循環(huán)包括提供硅前體沉積階段，其包括：使原子層沉積前體氣體流入所述蝕刻室，其中所述原子層沉積前體氣體在沒有等離子體的同時(shí)沉積，以及使所述原子層沉積前體氣體的流動(dòng)停止；以及提供氧沉積階段，其包括：使臭氧氣體流入所述蝕刻室，其中所述臭氧氣體在沒有等離子體的同時(shí)與所沉積的所述前體氣體結(jié)合，以及使所述臭氧氣體流入所述蝕刻室的流動(dòng)停止。蝕刻所述氧化硅層的一部分。從所述蝕刻室中去除所述堆疊件。

本發(fā)明授權(quán)用于半導(dǎo)體處理的基于硅的沉積在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于原位處理具有碳基圖案化掩模的堆疊件的方法，其包括：將所述堆疊件放置在蝕刻室中；通過原子層沉積，經(jīng)由提供多個(gè)循環(huán)在所述碳基圖案化掩模上沉積氧化硅層，而不消耗或侵蝕所述碳基圖案化掩模，其中，所述多個(gè)循環(huán)中的每個(gè)循環(huán)包括：提供硅前體沉積階段，其包括：使包含含硅成分的原子層沉積前體氣體流入所述蝕刻室，其中所述原子層沉積前體氣體在沒有等離子體的同時(shí)沉積在所述碳基圖案化掩模上；以及使所述原子層沉積前體氣體的流動(dòng)停止；以及提供氧沉積階段，其包括：僅使基本上由臭氧氣體組成的氧沉積氣體流入所述蝕刻室，其中所述臭氧氣體在沒有等離子體的同時(shí)與所沉積的所述前體氣體結(jié)合，以及使所述氧沉積氣體流入所述蝕刻室的流動(dòng)停止；蝕刻所述氧化硅層的一部分，其包括：使包含碳氟化合物的成形氣體流入所述蝕刻室；使所述成形氣體形成為等離子體，從而蝕刻所述氧化硅層；以及使所述成形氣體的流動(dòng)停止；并且從所述蝕刻室中去除所述堆疊件。

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