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龍圖騰網(wǎng)恭喜株式會社國際電氣申請的專利半導(dǎo)體器件的制造方法、襯底處理裝置及程序獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111052312B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201880050799.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/28；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件的制造方法、襯底處理裝置及程序是由小川有人設(shè)計研發(fā)完成，并于2018-03-26向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體器件的制造方法、襯底處理裝置及程序在說明書摘要公布了：本發(fā)明進行下述工序：工序a，通過將含有第一金屬的氣體和第一還原氣體以彼此不混合的方式對表面上具有凹部的襯底進行多次供給，從而形成第一金屬膜；工序b，通過至少將含有第二金屬的氣體、和與第一還原氣體不同的第二還原氣體以彼此不混合的方式對襯底進行多次供給，從而在第一金屬膜上形成第二金屬膜；及工序c，通過對襯底供給蝕刻氣體，從而至少將第二金屬膜蝕刻。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件的制造方法、襯底處理裝置及程序在權(quán)利要求書中公布了：1.半導(dǎo)體器件的制造方法，其具有下述工序：工序a，通過將含有第一金屬的氣體和第一還原氣體以彼此不混合的方式對表面上具有凹部的襯底進行多次供給，從而以將所述凹部內(nèi)填埋的方式形成第一金屬膜，其中，所述第一還原氣體為由氫元素的單質(zhì)或氘的單質(zhì)構(gòu)成的氣體；工序b，通過至少將含有第二金屬的氣體、和與第一還原氣體不同的第二還原氣體以彼此不混合的方式對所述襯底進行多次供給，從而在第一金屬膜上形成第二金屬膜；工序c，通過對所述襯底供給蝕刻氣體，從而將所述第二金屬膜蝕刻并將所述第一金屬膜的上部蝕刻，所述制造方法中，依次進行工序a及工序b，工序c在工序a及工序b后進行，在工序a中，使進行工序c前的所述第一金屬膜的厚度為進行工序c之后殘留的所述第一金屬膜的厚度的1.1倍以上且1.2倍以下。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人株式會社國際電氣，其通訊地址為：日本東京都；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。