買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜索尼半導體解決方案公司申請的專利半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111542917B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201880083706.5，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體裝置是由川島寬之設計研發完成，并于2018-11-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置在說明書摘要公布了：[問題]為了在保持機械強度和可靠性的同時減小半導體裝置的布線間電容。[解決方案]一種半導體裝置，其包括：多層布線層，在所述多層布線層中，多個層間膜和多個擴散防止膜交替地堆疊，并且在所述層間膜的內部形成有布線；接觸過孔，所述接觸過孔被形成為貫穿過孔絕緣層，并且被電連接至所述多層布線層的所述布線，所述過孔絕緣層被形成在所述多層布線層的一個表面上；通孔，所述通孔被形成為從所述多層布線層的與所述多層布線層的所述一個表面相反的一側的另一表面貫穿所述層間膜和所述擴散防止膜中的至少一者；以及空隙，所述空隙被連接至所述通孔，并且被形成在至少一個所述層間膜中以露出所述接觸過孔。

本發明授權半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其包括：多層布線層，在所述多層布線層中，多個層間膜和多個擴散防止膜交替地堆疊，并且在所述層間膜的內部形成有布線和貫通過孔；接觸過孔，所述接觸過孔被形成為貫穿過孔絕緣層，并且被電連接至所述多層布線層的所述布線，所述過孔絕緣層被形成在所述多層布線層的一個表面上；通孔，所述通孔被形成為從所述多層布線層的與所述多層布線層的所述一個表面相反的一側的另一表面貫穿所述層間膜和所述擴散防止膜中的至少一者；以及空隙，所述空隙被連接至所述通孔，并且被形成在多個所述層間膜中以露出所述接觸過孔，其中，在所述過孔絕緣層的與形成有所述多層布線層的表面相反的一側的另一表面上還布置有半導體基板，在所述半導體基板中布置有光電二極管，所述空隙還被形成在與TG控制線接觸的區域中，所述TG控制線被電連接至傳輸晶體管的柵極，所述傳輸晶體管控制從所述光電二極管讀取信號電荷，并且所述接觸過孔被電連接至所述傳輸晶體管的所述柵極，其中，所述接觸過孔被形成為向布置于所述多層布線層的所述過孔絕緣層側的所述層間膜的內部突出并接觸所述層間膜中的布線，其中，形成有所述空隙的所述層間膜中的所述貫通過孔在所述空隙中露出，并且所述接觸過孔、所述布線和所述貫通過孔連接成包圍預定區域的壁，使得在所述半導體裝置的面內方向上，形成所述空隙的區域限于所述預定區域。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人索尼半導體解決方案公司，其通訊地址為：日本神奈川縣；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。