恭喜長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司許杞安獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利靜電保護(hù)電路獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN112448378B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:201910827647.4,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H02H9/04;該發(fā)明授權(quán)靜電保護(hù)電路是由許杞安設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2019-09-03向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本靜電保護(hù)電路在說明書摘要公布了:一種靜電保護(hù)電路,包括:電源端、輸入焊盤端和接地端、第三PMOS晶體管、第三NMOS晶體管、內(nèi)部電路、靜電防護(hù)結(jié)構(gòu);內(nèi)部電路具有第一輸入端、第二輸入端、第三輸入端,第一輸入端連接所述第三PMOS晶體管的漏極,所述第二輸入端連接所述輸入焊盤端,第三輸入端連接所述第三NMOS晶體管漏極;第三PMOS晶體管的源極連接所述電源端,第三PMOS晶體管的柵極連接第一控制信號(hào)端;所述第三NMOS晶體管的源極連接所述接地端,所述第三NMOS晶體管的柵極連接第二控制信號(hào)端;所述靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)位于所述內(nèi)部電路的第二輸入端和電源端之間以及第二輸入端與接地端之間。本申請(qǐng)的靜電保護(hù)電路具有很好的靜電保護(hù)功能。
本發(fā)明授權(quán)靜電保護(hù)電路在權(quán)利要求書中公布了:1.一種靜電保護(hù)電路,其特征在于,包括:電源端、輸入焊盤端和接地端、第三PMOS晶體管、第三NMOS晶體管、內(nèi)部電路、靜電防護(hù)結(jié)構(gòu);所述內(nèi)部電路具有第一輸入端、第二輸入端、第三輸入端,所述第一輸入端連接所述第三PMOS晶體管的漏極,所述第二輸入端連接所述輸入焊盤端,所述第三輸入端連接所述第三NMOS晶體管漏極;所述第三PMOS晶體管的源極連接所述電源端,所述第三PMOS晶體管的柵極連接第一控制信號(hào)端;所述第三NMOS晶體管的源極連接所述接地端,所述第三NMOS晶體管的柵極連接第二控制信號(hào)端;所述靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)位于所述內(nèi)部電路的第二輸入端和所述電源端之間以及所述內(nèi)部電路的第二輸入端與所述接地端之間;所述靜電保護(hù)電路還包括控制電路,所述控制電路包括第一控制信號(hào)端和第二控制信號(hào)端,所述控制電路包括RC電路和與RC電路連接的反相器電路,所述RC電路包括串聯(lián)的電容和第一電阻,所述反相器電路包括串聯(lián)的第四PMOS晶體管和第四NMOS晶體管,所述第四PMOS晶體管的源極與電源端連接,所述第四PMOS晶體管的漏極和第四NMOS晶體管的漏極連接在一起作為所述第二控制信號(hào)端,所述第二控制信號(hào)端與所述第三NMOS晶體管的柵極連接,所述第四PMOS晶體管的柵極與第四NMOS晶體管的柵極連接在一起并與所述RC電路中電容和第一電阻之間的電連接點(diǎn)連接作為所述第一控制信號(hào)端,所述第一控制信號(hào)端與所述第三PMOS晶體管的柵極連接,所述第四NMOS晶體管的源極與所述接地端連接。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司,其通訊地址為:230001 安徽省合肥市蜀山區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)翠微路6號(hào)海恒大廈630室;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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