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龍圖騰網恭喜羅伯特·博世有限公司申請的專利MEMS傳感器以及用于制造MEMS傳感器的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113365937B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080011763.X，技術領域涉及：B81B3/00；該發明授權MEMS傳感器以及用于制造MEMS傳感器的方法是由C·納格爾設計研發完成，并于2020-01-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本MEMS傳感器以及用于制造MEMS傳感器的方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種MEMS傳感器，該MEMS傳感器包括襯底、至少三個功能層，所述功能層上下相疊地并且彼此間隔開地與襯底連接，并且其中，至少三個功能層中的第一功能層以能夠偏移的方式布置，其中，在第一功能層處布置有第一電極，該第一電極具有至少兩個區域，其中，第一電極的第一區域與至少三個功能層中的第二功能層的第二電極形成第一電容，并且其中，第一電極的第二區域與第三功能層的第三電極的至少一個區域形成第二電容，并且其中，這樣布置電極，使得在第一電容的電極的間距改變時，以相反的方式改變第二電容的電極的間距。

本發明授權MEMS傳感器以及用于制造MEMS傳感器的方法在權利要求書中公布了：1.MEMS傳感器，所述MEMS傳感器包括：襯底，三個功能層5、7、9，所述功能層上下相疊地并且彼此間隔開地與所述襯底連接，其中，所述三個功能層5、7、9中的第一功能層9以能夠偏移的方式布置，其中，在所述第一功能層9處布置有第一電極10，所述第一電極具有至少兩個區域10a、10b、10c，其中，所述第一電極10的第一區域10a與所述三個功能層5、7、9中的第二功能層5的第二電極11形成第一電容，其中，所述第一電極10的第二區域10b、10c與第三功能層7的第三電極12的至少一個區域12a、12b形成第二電容，其中，所述電極10、11、12布置成，使得在所述第一電容的電極10、11的間距改變時，以相反的方式改變所述第二電容的電極10、12的間距，其中，所述襯底2在所述第一電極10的所述第二區域10b、10c的下方的區域中被摻雜有摻雜部2a或者具有金屬層2b，從而抵抗所述第一電極10的第二區域10b、10c與所述襯底之間的寄生電容的產生，其中，所述第一功能層9位于所述第三功能層7的上方并且所述第二功能層5位于所述第三功能層7的下方。

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