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龍圖騰網恭喜中國科學院寧波材料技術與工程研究所申請的專利一種MOS器件漏電流瞬態采樣裝置及方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111398855B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010297758.1，技術領域涉及：G01R31/52；該發明授權一種MOS器件漏電流瞬態采樣裝置及方法是由喬海;張馳;戴明志;李榮;張杰;陳思魯;楊桂林設計研發完成，并于2020-04-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種MOS器件漏電流瞬態采樣裝置及方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種MOS器件漏電流瞬態采樣裝置及方法。所述裝置包括MOS漏極電流測試電路和MOS漏極電流計算電路，MOS漏極電流測試電路與被測MOS器件的漏極相連，且其輸入端接收外部輸入的漏極電壓Vd，根據該漏極電壓Vd，輸出采樣得到的漏極電流信號Vo；MOS漏極電流計算電路與MOS漏極電流測試電路的輸出端雙向連接，根據收到的漏極電流信號Vo和被測MOS器件的漏電流級別控制MOS漏極電流測試電路的漏電流采樣數量級，且根據收到的漏極電流信號Vo計算得到被測MOS器件的瞬態漏電流值Id。本發明可以在保證漏電流分辨率的同時，測試多種納安到微安級別漏電流的MOS器件，測試電路成本低。

本發明授權一種MOS器件漏電流瞬態采樣裝置及方法在權利要求書中公布了：1.一種MOS器件漏電流瞬態采樣裝置，其特征在于，包括：MOS柵極瞬態電壓發生器，與被測MOS器件的柵極相連，用于輸出一瞬態脈沖信號給被測MOS器件的柵極；MOS漏極電流測試電路，其與所述被測MOS器件的漏極相連，且其輸入端接收外部輸入的漏極電壓Vd，用于根據所述漏極電壓Vd，輸出采樣得到的漏極電流信號Vo，所述MOS漏極電流測試電路包括MOS漏電流采樣電路和模擬量多路復用器，所述模擬量多路復用器與MOS漏電流采樣電路內部信號連接，且所述模擬量多路復用器的輸入端接入所述漏極電壓Vd，輸出端輸出所述漏極電流信號Vo且與MOS漏極電流計算電路相雙向連接；MOS漏極電流計算電路，其與所述MOS漏極電流測試電路的輸出端雙向連接，用于根據收到的所述漏極電流信號Vo和被測MOS器件的漏電流級別控制MOS漏極電流測試電路的漏電流采樣數量級，且用于根據收到的所述漏極電流信號Vo計算得到被測MOS器件的瞬態漏電流值Id，所述MOS漏極電流計算電路將所述漏極電流信號Vo與其內預設的漏極電壓最大閾值Vmax和最小閾值Vmin相比，控制所述MOS漏極電流測試電路的漏電流采樣數量級。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院寧波材料技術與工程研究所，其通訊地址為：315201 浙江省寧波市鎮海區莊市大道519號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。