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龍圖騰網恭喜應用材料公司申請的專利用于碳化合物膜沉積的方法和設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115087759B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080096397.2，技術領域涉及：C23C16/505；該發明授權用于碳化合物膜沉積的方法和設備是由梁奇偉;斯里尼瓦斯·D·內曼尼;陳秀·克里斯·瑩;葉怡利;埃莉卡·陳;尼廷·托馬斯·亞歷克斯設計研發完成，并于2020-12-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于碳化合物膜沉積的方法和設備在說明書摘要公布了：一種用于在基板上沉積碳化合物的方法和設備包括：使用具有腔室主體、蓋、內部空間、泵設備和氣體傳輸系統的電感耦合等離子體ICP腔室和用于支撐設置于ICP腔室的內部空間內的基板的基座，基座具有從氮化鋁形成的具有上部表面的上部部分和具有從氮化鋁形成的管狀結構的下部部分，上部部分被構造成用以支撐基板和以嵌入的加熱元件加熱基板，下部部分被構造成用以支撐上部部分且裝載用于給上部部分的嵌入的加熱元件供應功率的電極，并且基座被構造成用以在碳化合物膜的沉積期間加熱基板。

本發明授權用于碳化合物膜沉積的方法和設備在權利要求書中公布了：1.一種用于在半導體處理中沉積石墨烯膜或金剛石膜的設備，包含：電感耦合等離子體（ICP）腔室，具有腔室主體、蓋、內部空間、泵設備和氣體傳輸系統；基座，用于支撐設置在所述ICP腔室的所述內部空間中的基板，其中所述基座具有下部部分和從氮化鋁形成的具有上部表面的上部部分，所述上部部分被構造成用以支撐基板且以嵌入的加熱元件加熱所述基板，所述下部部分具有從氮化鋁形成的管狀結構，所述下部部分被構造成用以支撐所述上部部分且裝載用來給所述上部部分的所述嵌入的加熱元件供應功率的電極，其中所述嵌入的加熱元件具有內加熱區和外加熱區，所述內加熱區和所述外加熱區被構造成用以提供所述膜的均勻沉積，供應至所述內加熱區的第一功率小于供應至所述外加熱區的第二功率，且其中所述基座被構造成用以在所述膜的沉積期間加熱所述基板；和控制器，被構造成用以將所述基座加熱到400攝氏度至800攝氏度，在所述ICP腔室中形成等離子體，并且將一個或多個氣體注入所述ICP腔室的所述內部空間中，以沉積石墨烯膜或金剛石膜。

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