恭喜格芯新加坡私人有限公司王藍翔獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜格芯新加坡私人有限公司申請的專利部分硅化的非易失性存儲器器件和集成方案獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114464665B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111140754.3，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權部分硅化的非易失性存儲器器件和集成方案是由王藍翔;陳學深;蔡新樹;卓榮發;孫永順設計研發完成，并于2021-09-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本部分硅化的非易失性存儲器器件和集成方案在說明書摘要公布了：本發明涉及部分硅化的非易失性存儲器器件和集成方案。提供了一種非易失性存儲器器件。該非易失性存儲器器件包括有源區、n阱區以及分隔有源區與n阱區的隔離區。可以設置浮置柵極。浮置柵極可以布置在有源區的一部分和n阱區的第一部分上方。有源區中的第一摻雜區可以在第一側相對于浮置柵極橫向移位，并且有源區中的第二摻雜區可以在與第一側相反的第二側相對于浮置柵極橫向移位。接觸可以布置在n阱區上方，其中接觸可以相對于在n阱區的第一部分上方的浮置柵極的第一拐角橫向移位。硅化物排斥層可以至少部分地布置在浮置柵極上方。
本發明授權部分硅化的非易失性存儲器器件和集成方案在權利要求書中公布了：1.一種非易失性存儲器器件，包括：有源區、n阱區以及分隔所述有源區與所述n阱區的隔離區；浮置柵極，其位于所述有源區的一部分和所述n阱區的第一部分上方；位于所述有源區中的第一摻雜區，其在第一側相對于所述浮置柵極橫向移位；位于所述有源區中的第二摻雜區，其在與所述第一側相反的第二側相對于所述浮置柵極橫向移位；位于所述n阱區上方的接觸，其中所述接觸相對于在所述n阱區的所述第一部分上方的所述浮置柵極的第一拐角橫向移位；以及硅化物排斥層，其至少部分地位于所述浮置柵極上方。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人格芯新加坡私人有限公司，其通訊地址為：新加坡新加坡市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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