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龍圖騰網恭喜富芯微電子有限公司申請的專利一種改善劃片崩邊的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114203536B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111480941.6，技術領域涉及：H01L21/228；該發明授權一種改善劃片崩邊的方法是由倪俠;鄒有彪;張榮;王全;霍傳猛;肖海林設計研發完成，并于2021-12-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種改善劃片崩邊的方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種改善劃片崩邊的方法，包括以下步驟:步驟一：晶圓準備：選取MCZ硅單晶片，5寸晶向111，電阻率5.0?6.5Ωcm，厚度220μm±10％；步驟二：劃片道摻雜：在爐溫1120℃，氧氣2Lmin、氮氣3Lmin、攜源氮氣1.2Lmin的工況下進行磷液態源淀積；在爐溫1140℃，氧氣2.5Lmin、氮氣4Lmin的工況下進行磷源推進；使用四探針測試擴散方塊電阻0.6Ω±10％，結深12μm±10％，本發明中是對劃片道區域作高濃度的雜質摻雜工序，讓劃片道變得“疏松”，從而降低劃片崩邊以及由此所造成的晶格損傷的嚴重度，提高晶圓的劃片質量。

本發明授權一種改善劃片崩邊的方法在權利要求書中公布了：1.一種改善劃片崩邊的方法，其特征在于，包括以下步驟:步驟一：晶圓準備選取MCZ硅單晶片，5寸晶向111，電阻率5.0-6.5Ωcm，厚度220μm±10％；步驟二：劃片道摻雜在爐溫1120℃，氧氣2Lmin、氮氣3Lmin、攜源氮氣1.2Lmin的工況下進行磷液態源淀積；沉積后，在爐溫1140℃，氧氣2.5Lmin、氮氣4Lmin的工況下進行磷源推進；使用四探針測試擴散方塊電阻0.6Ω±10％，結深12μm±10％；步驟二中劃片道摻雜采用磷摻雜；步驟二中磷液態源淀積的時間為25min；步驟二中磷源推進的時間為150min；步驟一中的晶圓準備是通過雙向裁剪臺1對晶圓料兩面進行雙向同步裁切；所述雙向裁剪臺1整體呈U型結構，且在雙向裁剪臺1的上方固定設置有晶圓裁切臺101，所述雙向裁剪臺1的內部通過Y向絲桿102設置有移動基座103，移動基座103上設置有龍門架2，所述龍門架2兩部上下兩側設置有用于晶圓料裁切的裁切機構；兩個裁切機構結構完全一致。

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