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龍圖騰網恭喜西安電子科技大學青島計算技術研究院;西安電子科技大學申請的專利一種基于梯度場的磁粒子成像系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114376550B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111525777.6，技術領域涉及：A61B5/0515；該發明授權一種基于梯度場的磁粒子成像系統是由賈廣;黃力宇;田捷;惠輝;苗啟廣;李檀平;席力;王穎;王澤;胡凱設計研發完成，并于2021-12-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于梯度場的磁粒子成像系統在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于梯度場的磁粒子成像系統，包括：激勵磁場模塊，包括均勻磁場激勵單元和三方向的梯度磁場激勵線圈對；各方向梯度磁場激勵線圈對在被加載變化的反向交變電流后用于提供強度變化的梯度磁場；控制模塊用于針對目標成像維度和目標成像平面，選擇向至少一個特定方向的梯度磁場激勵線圈對提供變化的反向交變電流使其磁場大小多次改變，以多次改變空間總梯度磁場的方向和大小；接收線圈對用于產生感應電壓；信號處理模塊用于對電壓信號信號處理并提取尖峰信號的三倍基頻諧波分量；圖像重建模塊用于根據不同三倍基頻諧波分量利用系統矩陣重建得到待測目標內磁納米粒子濃度的分布圖像。本發明能降低功耗、提高圖像質量并擴大成像視野。

本發明授權一種基于梯度場的磁粒子成像系統在權利要求書中公布了：1.一種基于梯度場的磁粒子成像系統，其特征在于，包括：激勵磁場模塊，包括均勻磁場激勵單元，以及X方向、Y方向和Z方向的梯度磁場激勵線圈對；其中，所述均勻磁場激勵單元用于提供Z方向的恒定均勻交變磁場；各激勵線圈對的兩個激勵線圈平行相對間隔設置，每個方向的梯度磁場激勵線圈對在被加載變化的反向交變電流后，用于提供該方向上強度變化的梯度磁場；其中，被注入磁納米粒子的待測目標被置于所述激勵磁場模塊的空間中心區域，且長軸與Z軸平行；所述均勻磁場激勵單元，包括：一對軸向重合、軸向朝向為Z方向，且具有間距的圓形麥克斯韋線圈；所述Z方向的梯度磁場激勵線圈對，包括：一對軸向重合、軸向朝向為Z方向，且具有間距的圓形麥克斯韋線圈；所述X方向的梯度磁場激勵線圈對或者所述Y方向的梯度磁場激勵線圈對，包括：沿平面對稱的一對Golay型橫向梯度線圈，其中每一Golay型橫向梯度線圈包括沿Z方向延伸的兩個Golay線圈，每一Golay線圈呈120°圓弧分布在柱面上，近處圓弧的張角為68.7°，遠處圓弧的張角為21.3°；其中，所述X方向的梯度磁場激勵線圈對的對稱平面為YZ平面；所述Y方向的梯度磁場激勵線圈對的對稱平面為XZ平面；控制模塊，用于針對目標成像維度和目標成像平面，選擇向至少一個特定方向的梯度磁場激勵線圈對提供變化的反向交變電流，使得該至少一個特定方向的梯度磁場的大小發生多次改變，以多次改變空間總梯度磁場的方向和大小；接收線圈對，用于在所有激勵磁場的作用下產生感應電壓；信號處理模塊，用于對從所述接收線圈對獲得的電壓信號進行信號處理，并提取其中尖峰信號的三倍基頻諧波分量；圖像重建模塊，用于根據所述空間總梯度磁場多次改變所得到的不同的三倍基頻諧波分量，利用系統矩陣重建得到符合所述目標成像維度和所述目標成像平面的所述待測目標內磁納米粒子濃度的分布圖像。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安電子科技大學青島計算技術研究院;西安電子科技大學，其通訊地址為：266109 山東省青島市城陽區春陽路88號天安數碼城28、29號樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。