恭喜廣東匯芯半導體有限公司馮宇翔獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜廣東匯芯半導體有限公司申請的專利設有陽極氧化層的模塊化智能功率系統及其制造方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114664764B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210250675.6,技術領域涉及:H01L23/367;該發明授權設有陽極氧化層的模塊化智能功率系統及其制造方法是由馮宇翔;黃浩設計研發完成,并于2022-03-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本設有陽極氧化層的模塊化智能功率系統及其制造方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種設有陽極氧化層的模塊化智能功率系統,包括金屬基板、絕緣層、芯片和陽極氧化層;所述金屬基板的上表面覆蓋有絕緣層,所述絕緣層的上表面設有芯片;所述金屬基板的下表面覆蓋有陽極氧化層;所述金屬基板劃分為多個強電區和多個布線區,所述強電區和所述布線區交錯分布,所述芯片設置于所述強電區的正上方,所述陽極氧化層設置于所述強電區的正下方。還公開了一種設有陽極氧化層的模塊化智能功率系統的制造方法。本發明的所述設有陽極氧化層的模塊化智能功率系統及其制造方法解決了現有的模塊化智能功率系統基板耐壓能力低且散熱能力低的問題。
本發明授權設有陽極氧化層的模塊化智能功率系統及其制造方法在權利要求書中公布了:1.一種設有陽極氧化層的模塊化智能功率系統,其特征在于:包括金屬基板、絕緣層、芯片和陽極氧化層;所述金屬基板的上表面覆蓋有絕緣層,所述絕緣層的上表面設有芯片;所述金屬基板的下表面覆蓋有陽極氧化層;所述金屬基板劃分為多個強電區和多個布線區,所述強電區和所述布線區交錯分布,所述芯片設置于所述強電區的正上方,所述陽極氧化層只設置于所述強電區的正下方;所述陽極氧化層的橫向截面的面積大于所述強電區的橫向截面的面積;所述模塊化智能功率系統還包括散熱片,所述散熱片設置于所述絕緣層和所述芯片之間,所述散熱片的下表面與所述絕緣層的上表面連接,所述散熱片的上表面與所述芯片的下表面連接;所述模塊化智能功率系統還包括銅箔層,所述銅箔層覆蓋于所述絕緣層的上表面,并且所述銅箔層設置于所述布線區的正上方,所述銅箔層與所述芯片電連接。
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