恭喜中國電子科技集團公司第五十八研究所常紅獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中國電子科技集團公司第五十八研究所申請的專利一種適用于GaN驅動芯片的高壓電平移位電路獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114884502B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210433854.3,技術領域涉及:H03K19/0185;該發明授權一種適用于GaN驅動芯片的高壓電平移位電路是由常紅;于文濤;耿鎬;張明新;黃少卿;席曉麗;武嘉瑜;肖培磊;宣志斌設計研發完成,并于2022-04-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種適用于GaN驅動芯片的高壓電平移位電路在說明書摘要公布了:本發明涉及集成電路技術領域,具體涉及一種適用于GaN驅動芯片的高壓電平移位電路。將位于低壓域的信號轉換為高壓域的信號,其特征在于:包括電壓轉電流信號模塊、電流鏡像模塊、推挽輸出模塊、電流補償支路和信號維持模塊;所述電壓轉電流信號模塊用于將PWM電壓信號轉換成電流信號,所述電流鏡像模塊用于鏡像PWM電壓轉換的電流信號,作為所述推挽輸出模塊的輸入信號,所述推挽輸出模塊將電流信號轉換成高壓域的電壓信號,所述電流補償支路用于補償節點的電流,所述信號維持模塊提供小電流,用于維持建立的信號狀態。該方案有效解決了傳統電平移位電路存在功耗、傳輸延遲、CMTI能力、抗開關節點負壓能力之間相互矛盾的問題。
本發明授權一種適用于GaN驅動芯片的高壓電平移位電路在權利要求書中公布了:1.一種適用于GaN驅動芯片的高壓電平移位電路,將位于低壓域的信號轉換為高壓域的信號,其特征在于:包括電壓轉電流信號模塊、電流鏡像模塊、推挽輸出模塊、電流補償支路和信號維持模塊;所述電壓轉電流信號模塊用于將PWM電壓信號轉換成電流信號,所述電流鏡像模塊用于鏡像PWM電壓轉換的電流信號,作為所述推挽輸出模塊的輸入信號,所述推挽輸出模塊將電流信號轉換成高壓域的電壓信號,所述電流補償支路用于補償節點的電流,所述信號維持模塊提供小電流,用于維持建立的信號狀態;所述電壓轉電流信號模塊包括左右兩條支路,左側電壓轉電流信號支路由PMOS管P1、NMOS管N3、NMOS管N5、電容C1、LDMOS管LD1、PMOS管P3、緩沖器buf構成,右側電壓轉電流信號支路由PMOS管P2、NMOS管N4、NMOS管N6、電容C2、LDMOS管LD2、PMOS管P4、反相器inv構成;所述P1的源端接電源電壓VDD,漏端接N5的漏端、LD1的源端,柵端buf的輸出端、inv的輸入端、N5的柵端、N4的柵端;所述C1的一端接節點C,另一端接地;所述N5的源端接節點C;所述LD1的柵端接電源電壓VDD,漏端接節點A;所述P3的源端接高側浮動電源電壓VBST,柵端和漏端接節點A;所述N3管的漏端接節點C,源端接地,柵端接inv的輸入端、P2的柵端、N6的柵端;所述buf的輸入端接PWM;所述P2的源端接電源電壓VDD,漏端接N6的漏端、LD2的源端;所述C2的一端接節點D,另一端接地;所述N6的源端接節點D;所述LD2的柵端接電源電壓VDD,漏端接節點B;所述P4的源端接高側浮動電源電壓VBST,柵端和漏端接節點B;所述N4管的漏端接節點D,源端接地;所述電流鏡像模塊包括PMOS管P3、PMOS管P5、PMOS管P4、PMOS管P6,所述P5的源端接高側浮動電源電壓VBST,漏端接輸出節點OUT+,柵端接節點A;所述P6的源端接高側浮動電源電壓VBST,漏端接輸出節點OUT-,柵端接節點B;所述推挽輸出模塊包括PMOS管P5、NMOS管N7、PMOS管P6、NMOS管N8,所述N7的源端接高側浮動電源地VSW,漏端和柵端接輸出節點OUT+、N8的柵端;所述N8的源端接高側浮動電源地VSW,漏端接輸出節點OUT-;所述電流補償支路包括左右兩條支路,左側電流補償支路補償節點A的電流,由PMOS管P7、PMOS管P9構成;右側電流補償支路補償節點B的電流,由PMOS管P8、PMOS管P10構成;所述P7的源端接高側浮動電源電壓VBST,柵端接節點B,漏端接P9的源端;所述P9的柵端和漏端接節點A;所述P8的源端接高側浮動電源電壓VBST,柵端接節點A,漏端接P10的源端;所述P10的柵端和漏端接節點B;所述信號維持模塊包括偏置電流源Ibias、NMOS管N0、NMOS管N1、NMOS管N2;所述偏置電流源Ibias的一端接電源電壓VDD,另一點接N0的漏端和柵端、N1的柵端、N2的柵端;所述N0的源端接地;所述N1的漏端接節點C,源端接地;所述N2的漏端接節點D,源端接地。
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