買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜季華實驗室申請的專利一種半導體退火方法、退火裝置及退火系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114823307B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210681195.5，技術領域涉及：H01L21/263；該發明授權一種半導體退火方法、退火裝置及退火系統是由劉欣然;高桑田;唐卓睿;郭嘉杰;何嵩;吳國發設計研發完成，并于2022-06-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體退火方法、退火裝置及退火系統在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體器件制備技術領域，具體公開了一種半導體退火方法、退火裝置及退火系統，其中，方法包括以下步驟：獲取SiC半導體片材的表面溫度信息；利用低于單晶硅的熔點溫度的加熱溫度對SiC半導體片材進行微波加熱；在表面溫度信息達到預設的第一溫度閾值時，對SiC半導體片材進行移動性的電子束加熱，直至完成SiC半導體片材退火處理；該方法利用微波加熱處理將SiC半導體片材加熱到第一溫度閾值能將SiC半導體片材退火處理所需溫度下降至預期范圍內，再利用電子束加熱對SiC半導體片材進行精確的溫控退火處理，能在保證退火處理效果的情況下，降低了退火處理溫度、提高退火處理效率。

本發明授權一種半導體退火方法、退火裝置及退火系統在權利要求書中公布了：1.一種半導體退火方法，用于對SiC半導體片材進行退火處理，其特征在于，所述方法包括以下步驟：獲取所述SiC半導體片材的表面溫度信息；對所述SiC半導體片材進行微波加熱；在所述表面溫度信息達到預設的第一溫度閾值時，利用低于單晶硅熔點溫度的加熱溫度對所述SiC半導體片材進行移動性的電子束加熱，直至完成所述SiC半導體片材退火處理，所述第一溫度閾值為400-600℃；所述利用低于單晶硅熔點溫度的加熱溫度對所述SiC半導體片材進行移動性的電子束加熱，直至完成所述SiC半導體片材退火處理的步驟包括：利用電子束對所述SiC半導體片材進行局部加熱；在所述表面溫度信息達到預設的第二溫度閾值時，按照預設的退火路徑切換所述電子束的局部加熱位置，所述第二溫度閾值小于所述單晶硅熔點溫度，所述第二溫度閾值為所述第一溫度閾值的1.5-3倍。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人季華實驗室，其通訊地址為：528200 廣東省佛山市南海區桂城街道環島南路28號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。