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龍圖騰網恭喜哈爾濱工業大學申請的專利一種半導體材料離位閾能的計算方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115168806B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210762632.6，技術領域涉及：G06F17/18；該發明授權一種半導體材料離位閾能的計算方法是由劉中利;李興冀;徐曉東;崔秀海設計研發完成，并于2022-06-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體材料離位閾能的計算方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體材料離位閾能的計算方法，包括以下步驟：構建由半導體材料組成的超胞，并對其結構進行優化，使各原子均處于各自的平衡位置；以目標原子為中心，選取一個速度方向，設定初始動能，進行目標原子運動的分子動力學模擬，通過重復嘗試最終得到的能夠產生Frankel缺陷所對應的動能，即為目標原子沿該速度方向離開自身位置形成缺陷所需的最小能量；對得到的數據進行分析，得到目標原子的離位閾能。本發明通過仿真模擬的方法構建半導體材料的超胞，并以目標原子為球心均勻選擇多個速度方向，計算目標原子沿不同速度方向的離位閾能范圍，并達到設定的精度，得到目標原子的離位閾能和平均離位閾能數據，提高了計算效率。

本發明授權一種半導體材料離位閾能的計算方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體材料離位閾能的計算方法，其特征在于，包括以下步驟：步驟S1、構建由半導體材料組成的超胞，并對其結構進行優化，使各原子均處于各自的平衡位置；步驟S2、選取需要計算離位閾能的原子作為目標原子，以目標原子為中心，得到半徑為1埃的球面，在球面上選取n個均勻分布的幾何點，然后從球心出發分別與球面上的n個幾何點進行連線，以從球心到球面幾何點的方向作為目標原子的速度方向；步驟S3、選取其中一個速度方向，設定1eV的初始動能，進行目標原子運動的分子動力學模擬，然后逐漸增加目標原子的動能，并重復分子動力學模擬，直至目標原子產生Frankel缺陷，記錄過程中最后一個未產生Frankel缺陷的動能和第一個產生Frankel缺陷的動能，則目標原子沿此速度方向的離位閾能即在此范圍內；步驟S4、計算最后一個未產生Frankel缺陷動能和第一個產生Frankel缺陷動能的平均值，并以所述平均值進行目標原子運動的分子動力學模擬，并根據是否產生Frankel缺陷逐步增加或減小動能，重復計算最后一個未產生Frankel缺陷動能和第一個產生Frankel缺陷動能的平均值，并以所述平均值進行目標原子運動的分子動力學模擬，并根據是否產生Frankel缺陷逐步增加或減小動能的過程，逐步縮小能夠產生Frankel缺陷和不能產生Frankel缺陷之間的動能差值，直至達到設定的計算精度，最終得到的能夠產生Frankel缺陷所對應的動能，即為目標原子沿該速度方向離開自身位置形成缺陷所需的最小能量；步驟S5、分別以不同的速度方向重復步驟S3和S4，計算目標原子沿不同速度方向離開自身位置形成缺陷所需的最小能量；步驟S6、對得到的數據進行分析，其中，對沿n個不同速度方向中目標原子自身位置形成缺陷所需的最小能量的數值進行比較，最小值則為目標原子的離位閾能，而沿n個不同速度方向中目標原子自身位置形成缺陷所需的最小能量的平均值則為平均離位閾能。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人哈爾濱工業大學，其通訊地址為：150000 黑龍江省哈爾濱市南崗區西大直街92號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。