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龍圖騰網(wǎng)恭喜北京晶亦精微科技股份有限公司申請的專利一種金屬膜層厚度測量方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115289958B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210935350.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01B7/06；該發(fā)明授權(quán)一種金屬膜層厚度測量方法是由白琨;李嘉浪;張康;賈若雨;孟曉云;周慶亞設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-08-04向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種金屬膜層厚度測量方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種金屬膜層厚度測量方法，包括：提供具有基準(zhǔn)膜層厚度分布曲線的基準(zhǔn)樣品，橫坐標(biāo)為基準(zhǔn)樣品上的點(diǎn)距離中心的距離，縱坐標(biāo)為實(shí)際膜層厚度；采用電渦流傳感器獲取基準(zhǔn)樣品的第一膜層厚度分布曲線，橫坐標(biāo)與基準(zhǔn)橫坐標(biāo)一一對應(yīng)，縱坐標(biāo)為第一測試膜層厚度；獲取膜層厚度衰減系數(shù)曲線，橫坐標(biāo)為基準(zhǔn)橫坐標(biāo)，縱坐標(biāo)為衰減系數(shù)，衰減系數(shù)為實(shí)際膜層厚度與第一測試膜層厚度的差值；采用電渦流傳感器獲取測試樣品的第二膜層厚度分布曲線，橫坐標(biāo)與基準(zhǔn)橫坐標(biāo)一一對應(yīng)，縱坐標(biāo)為第二測試膜層厚度；獲取測試樣品的補(bǔ)償膜層厚度分布曲線，橫坐標(biāo)為基準(zhǔn)橫坐標(biāo)，縱坐標(biāo)為補(bǔ)償膜層厚度。本申請?jiān)陔姕u流信號失真位置對信號進(jìn)行補(bǔ)償，提高準(zhǔn)確度。

本發(fā)明授權(quán)一種金屬膜層厚度測量方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種金屬膜層厚度測量方法，其特征在于，包括：提供具有基準(zhǔn)膜層厚度分布曲線的基準(zhǔn)樣品，所述基準(zhǔn)膜層厚度分布曲線的橫坐標(biāo)為基準(zhǔn)橫坐標(biāo)，所述基準(zhǔn)橫坐標(biāo)為所述基準(zhǔn)樣品上的點(diǎn)距離所述基準(zhǔn)樣品的中心的距離，所述基準(zhǔn)膜層厚度分布曲線的縱坐標(biāo)為基準(zhǔn)縱坐標(biāo)，所述基準(zhǔn)縱坐標(biāo)為實(shí)際膜層厚度；采用電渦流傳感器獲取基準(zhǔn)樣品的第一膜層厚度分布曲線，所述第一膜層厚度分布曲線的橫坐標(biāo)為第一橫坐標(biāo)，所述第一橫坐標(biāo)與所述基準(zhǔn)橫坐標(biāo)一一對應(yīng)，所述第一膜層厚度分布曲線的縱坐標(biāo)為第一縱坐標(biāo)，所述第一縱坐標(biāo)為第一測試膜層厚度；獲取膜層厚度衰減系數(shù)曲線，所述膜層厚度衰減系數(shù)曲線的橫坐標(biāo)為所述基準(zhǔn)橫坐標(biāo)，所述膜層厚度衰減系數(shù)曲線的縱坐標(biāo)為衰減系數(shù)，所述衰減系數(shù)為所述實(shí)際膜層厚度與所述第一測試膜層厚度的差值；采用電渦流傳感器獲取測試樣品的第二膜層厚度分布曲線，所述第二膜層厚度分布曲線的橫坐標(biāo)為第二橫坐標(biāo)，所述第二橫坐標(biāo)與所述基準(zhǔn)橫坐標(biāo)一一對應(yīng)，所述第二膜層厚度分布曲線的縱坐標(biāo)為第二縱坐標(biāo)，所述第二縱坐標(biāo)為第二測試膜層厚度；根據(jù)膜層厚度衰減系數(shù)曲線獲取測試樣品的補(bǔ)償膜層厚度分布曲線，所述補(bǔ)償膜層厚度分布曲線的橫坐標(biāo)為所述基準(zhǔn)橫坐標(biāo)，所述補(bǔ)償膜層厚度分布曲線的縱坐標(biāo)為補(bǔ)償膜層厚度，根據(jù)膜層厚度衰減系數(shù)曲線獲取測試樣品的補(bǔ)償膜層厚度分布曲線的步驟中，根據(jù)衰減系數(shù)生成衰減系數(shù)預(yù)測模型獲取所述補(bǔ)償膜層厚度，所述衰減系數(shù)預(yù)測模型包括折線模型或曲面模型，生成所述折線模型的方法包括雙線性插值法，生成所述曲面模型的方法包括最小二乘法。

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