恭喜北京晶亦精微科技股份有限公司白琨獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜北京晶亦精微科技股份有限公司申請的專利一種金屬膜層厚度測量方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115289958B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210935350.1,技術領域涉及:G01B7/06;該發明授權一種金屬膜層厚度測量方法是由白琨;李嘉浪;張康;賈若雨;孟曉云;周慶亞設計研發完成,并于2022-08-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種金屬膜層厚度測量方法在說明書摘要公布了:本發明提供一種金屬膜層厚度測量方法,包括:提供具有基準膜層厚度分布曲線的基準樣品,橫坐標為基準樣品上的點距離中心的距離,縱坐標為實際膜層厚度;采用電渦流傳感器獲取基準樣品的第一膜層厚度分布曲線,橫坐標與基準橫坐標一一對應,縱坐標為第一測試膜層厚度;獲取膜層厚度衰減系數曲線,橫坐標為基準橫坐標,縱坐標為衰減系數,衰減系數為實際膜層厚度與第一測試膜層厚度的差值;采用電渦流傳感器獲取測試樣品的第二膜層厚度分布曲線,橫坐標與基準橫坐標一一對應,縱坐標為第二測試膜層厚度;獲取測試樣品的補償膜層厚度分布曲線,橫坐標為基準橫坐標,縱坐標為補償膜層厚度。本申請在電渦流信號失真位置對信號進行補償,提高準確度。
本發明授權一種金屬膜層厚度測量方法在權利要求書中公布了:1.一種金屬膜層厚度測量方法,其特征在于,包括:提供具有基準膜層厚度分布曲線的基準樣品,所述基準膜層厚度分布曲線的橫坐標為基準橫坐標,所述基準橫坐標為所述基準樣品上的點距離所述基準樣品的中心的距離,所述基準膜層厚度分布曲線的縱坐標為基準縱坐標,所述基準縱坐標為實際膜層厚度;采用電渦流傳感器獲取基準樣品的第一膜層厚度分布曲線,所述第一膜層厚度分布曲線的橫坐標為第一橫坐標,所述第一橫坐標與所述基準橫坐標一一對應,所述第一膜層厚度分布曲線的縱坐標為第一縱坐標,所述第一縱坐標為第一測試膜層厚度;獲取膜層厚度衰減系數曲線,所述膜層厚度衰減系數曲線的橫坐標為所述基準橫坐標,所述膜層厚度衰減系數曲線的縱坐標為衰減系數,所述衰減系數為所述實際膜層厚度與所述第一測試膜層厚度的差值;采用電渦流傳感器獲取測試樣品的第二膜層厚度分布曲線,所述第二膜層厚度分布曲線的橫坐標為第二橫坐標,所述第二橫坐標與所述基準橫坐標一一對應,所述第二膜層厚度分布曲線的縱坐標為第二縱坐標,所述第二縱坐標為第二測試膜層厚度;根據膜層厚度衰減系數曲線獲取測試樣品的補償膜層厚度分布曲線,所述補償膜層厚度分布曲線的橫坐標為所述基準橫坐標,所述補償膜層厚度分布曲線的縱坐標為補償膜層厚度,根據膜層厚度衰減系數曲線獲取測試樣品的補償膜層厚度分布曲線的步驟中,根據衰減系數生成衰減系數預測模型獲取所述補償膜層厚度,所述衰減系數預測模型包括折線模型或曲面模型,生成所述折線模型的方法包括雙線性插值法,生成所述曲面模型的方法包括最小二乘法。
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