恭喜華南理工大學王文樑獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜華南理工大學申請的專利石墨烯/非極性GaN紫外偏振探測器及其制備方法與應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115411132B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211039319.6，技術領域涉及：H10F30/222；該發明授權石墨烯/非極性GaN紫外偏振探測器及其制備方法與應用是由王文樑;林廷鈞設計研發完成，并于2022-08-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本石墨烯/非極性GaN紫外偏振探測器及其制備方法與應用在說明書摘要公布了：本發明公開了一種石墨烯非極性GaN紫外偏振探測器及其制備方法與應用，所述石墨烯非極性GaN紫外偏振探測器包括從下到上依次排布的襯底、緩沖層、非極性GaN層和TiAu金屬電極層，以及覆蓋在非極性GaN層上的隔離層、石墨烯層和Au金屬電極層；其中，在非極性GaN層的一側上覆蓋TiAu金屬電極層，在另一側上覆蓋隔離層；石墨烯層部分覆蓋在隔離層上，部分覆蓋在非極性GaN層上，且石墨烯層不與TiAu金屬電極層接觸；Au金屬電極層覆蓋在隔離層上的石墨烯層上；石墨烯與非極性GaN形成石墨烯非極性GaN異質結。本發明提供的石墨烯非極性GaN異質結構，實現了紫外光偏振探測，減少器件的暗電流與噪聲。
本發明授權石墨烯/非極性GaN紫外偏振探測器及其制備方法與應用在權利要求書中公布了：1.一種石墨烯非極性GaN紫外偏振探測器，其特征在于，包括從下到上依次排布的襯底、緩沖層、非極性GaN層和TiAu金屬電極層，以及覆蓋在非極性GaN層上的隔離層、石墨烯層和Au金屬電極層；其中，所述緩沖層包括生長在襯底上的AlN層和生長在AlN層上的AlGaN層；所述TiAu金屬電極層覆蓋在非極性GaN層的一側上，所述隔離層覆蓋在非極性GaN層的另一側上；所述石墨烯層部分覆蓋在隔離層上，部分覆蓋在非極性GaN層上，且石墨烯層不與TiAu金屬電極層接觸；所述Au金屬電極層覆蓋在隔離層上的石墨烯層上；所述石墨烯層和非極性GaN層形成石墨烯非極性GaN功能層。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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