買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜西安交通大學申請的專利一種基于KNN和應力釋放凹槽的TFT-PMUTs、制備方法、應用和超聲觸覺感知檢測設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116493234B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310467430.3，技術領域涉及：B06B1/06；該發明授權一種基于KNN和應力釋放凹槽的TFT-PMUTs、制備方法、應用和超聲觸覺感知檢測設備是由趙立波;馬琦;李支康;李梓璇;秦韶輝;石璇;袁佳煒;趙一鶴;袁錚;羅國希;楊萍;王永錄;王久洪;蔣莊德設計研發完成，并于2023-04-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于KNN和應力釋放凹槽的TFT-PMUTs、制備方法、應用和超聲觸覺感知檢測設備在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于KNN和應力釋放凹槽的TFT?PMUTs、制備方法、應用和超聲觸覺感知檢測設備，該TFT?PMUTs包括壓電式微機械超聲換能器和薄膜晶體管，壓電式微機械超聲換能器中每個單元的底電極的軸心設有單元中心支柱，每個壓電式微機械超聲換能器陣元的中心設置陣元中心支柱；KNN壓電層在壓電式微機械超聲換能器陣元的中心位置空白區域設置陣元中心支柱；結構層上設有應力釋放凹槽；陣元中心支柱和單元中心支柱與薄膜晶體管的電壓開關一一正對連接，每個陣元中心支柱處的頂電極、以及每個單元中心支柱對應的底電極與薄膜晶體管上和他們位置相對的電壓開關電連接；單元邊界支柱與薄膜晶體管表面鍵合連接。本發明傳感器能夠進行觸覺感知和軌跡檢測，且靈敏度較高，可進行批量化制造。

本發明授權一種基于KNN和應力釋放凹槽的TFT-PMUTs、制備方法、應用和超聲觸覺感知檢測設備在權利要求書中公布了：1.一種基于KNN和應力釋放凹槽的TFT-PMUTs，其特征在于，包括壓電式微機械超聲換能器（1）和薄膜晶體管（2）；所述壓電式微機械超聲換能器（1）包括呈陣列分布的多個壓電式微機械超聲換能器陣元，每個壓電式微機械超聲換能器陣元中包括四個分布于一正方形四角位置的壓電式微機械超聲換能單元以及位于所述正方形中心的陣元中心支柱（23）；所述壓電式微機械超聲換能單元包括結構層（4）、絕緣層（5）、頂電極（6）、KNN壓電層（7）、底電極（8）和單元邊界支柱（10），結構層（4）、絕緣層（5）、頂電極（6）、KNN壓電層（7）和單元邊界支柱（10）依次設置，單元邊界支柱（10）與KNN壓電層（7）之間圍成空腔（9），底電極（8）設置于KNN壓電層（7）上并位于空腔（9）的軸心，底電極（8）的軸心設有單元中心支柱（25），單元中心支柱（25）上設有與底電極（8）連接的金屬焊盤；所有壓電式微機械超聲換能單元公用所述結構層（4）、絕緣層（5）、頂電極（6）、KNN壓電層（7），KNN壓電層（7）在所述壓電式微機械超聲換能器陣元的中心位置設有空白區域，所述空白區域延伸至頂電極（6）表面，所述陣元中心支柱（23）設置于所述空白區域，陣元中心支柱（23）上設有與頂電極（6）連接的金屬焊盤；結構層（4）上在與每個空腔（9）周圍的單元邊界支柱（10）相對的位置設有應力釋放凹槽（11）；所述壓電式微機械超聲換能器陣元中的陣元中心支柱（23）以及所有單元中心支柱（25）構成的陣列形式與薄膜晶體管（2）上的電壓開關的陣列分布形式相同，所述壓電式微機械超聲換能器陣元中的陣元中心支柱（23）以及所有單元中心支柱（25）與薄膜晶體管（2）的電壓開關一一正對，電壓開關通過導電金屬層與陣元中心支柱（23）和單元中心支柱（25）上的金屬焊盤鍵合連接；單元邊界支柱（10）與薄膜晶體管（2）表面鍵合連接。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安交通大學，其通訊地址為：710049 陜西省西安市碑林區咸寧西路28號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。