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龍圖騰網(wǎng)恭喜華海清科股份有限公司申請的專利用于晶圓金屬薄膜厚度的測量儀及測量方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116772703B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310505303.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01B7/06；該發(fā)明授權(quán)用于晶圓金屬薄膜厚度的測量儀及測量方法是由竇華成;李丹;吳英明;田芳馨;王同慶設(shè)計研發(fā)完成，并于2023-05-06向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本用于晶圓金屬薄膜厚度的測量儀及測量方法在說明書摘要公布了：本公開提供一種用于晶圓金屬薄膜厚度的測量儀及測量方法，其中，測量方法用于晶圓金屬薄膜厚度的測量儀。測量儀包括：承載盤，用于承載晶圓，其中，晶圓的上表面覆蓋金屬薄膜；電渦流傳感器，設(shè)置在承載盤的上方，配置成利用渦流效應(yīng)在晶圓的金屬薄膜內(nèi)激發(fā)渦流磁場，并且檢測渦流磁場的強度以產(chǎn)生對應(yīng)的輸出信號；以及測距傳感器，設(shè)置在承載盤的上方，用于測量電渦流傳感器距離晶圓的提離高度。測量方法包括：在承載盤承載待檢測晶圓時，分別獲取電渦流傳感器產(chǎn)生的目標輸出信號以及測距傳感器測量到的目標提離高度；以及根據(jù)目標輸出信號以及目標提離高度確定待檢測晶圓的金屬薄膜的厚度。

本發(fā)明授權(quán)用于晶圓金屬薄膜厚度的測量儀及測量方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于晶圓金屬薄膜厚度的測量方法，其中，所述測量方法用于晶圓金屬薄膜厚度的測量儀，所述測量儀包括：承載盤，用于承載晶圓，其中，所述晶圓的上表面覆蓋金屬薄膜；電渦流傳感器，設(shè)置在所述承載盤的上方，配置成利用渦流效應(yīng)在所述晶圓的金屬薄膜內(nèi)激發(fā)渦流磁場，并且檢測所述渦流磁場的強度以產(chǎn)生對應(yīng)的輸出信號；以及測距傳感器，設(shè)置在所述承載盤的上方，用于測量所述電渦流傳感器距離所述晶圓的提離高度，所述電渦流傳感器和所述測距傳感器被配置為可以一體沿著水平和豎直方向運動，所述測量方法包括：在承載盤承載待檢測晶圓時，分別獲取所述電渦流傳感器產(chǎn)生的目標輸出信號以及所述測距傳感器測量到的目標提離高度；以及根據(jù)所述目標輸出信號以及所述目標提離高度確定所述待檢測晶圓的金屬薄膜的厚度，其中，根據(jù)所述目標輸出信號以及所述目標提離高度確定所述待檢測晶圓的金屬薄膜的厚度包括：確定在所述測距傳感器測量到的提離高度為預(yù)設(shè)的標準高度的情況下，所述晶圓的金屬薄膜的厚度與所述電渦流傳感器的輸出信號之間的第一映射關(guān)系，其中，所述第一映射關(guān)系中的系數(shù)與所述電渦流傳感器的分辨率相關(guān)；確定所述提離高度與所述電渦流傳感器的分辨率之間的第二映射關(guān)系；根據(jù)所述第二映射關(guān)系對所述第一映射關(guān)系中的系數(shù)進行修正，以得到在所述測距傳感器測量到的提離高度為所述目標提離高度的情況下，所述晶圓的金屬薄膜的厚度與所述電渦流傳感器的輸出信號之間的第三映射關(guān)系；以及根據(jù)所述目標輸出信號，基于所述第三映射關(guān)系確定所述待檢測晶圓的金屬薄膜的厚度。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人華海清科股份有限公司，其通訊地址為：300350 天津市津南區(qū)海河科技園區(qū)聚興道9號,8號樓；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。