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龍圖騰網獲悉上海云攀半導體有限公司申請的專利半導體結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117727758B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311448240.3，技術領域涉及：H10D84/83；該發明授權半導體結構是由請求不公布姓名設計研發完成，并于2023-11-01向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構在說明書摘要公布了：本公開實施例涉及半導體領域，提供一種半導體結構，其中，半導體結構包括：襯底；交替排布的功能晶體管和浮空晶體管，功能晶體管包括：功能柵極、第一源漏摻雜區和第二源漏摻雜區，功能柵極位于襯底表面，第一源漏摻雜區和第二源漏摻雜區位于功能柵極的相對兩側，浮空晶體管包括：浮空柵極、第三源漏摻雜區和第四源漏摻雜區，浮空柵極位于襯底表面，第三源漏摻雜區和第四源漏摻雜區位于浮空柵極的相對兩側，且第三源漏摻雜區和浮空晶體管一側的功能晶體管的第二源漏摻雜區電連接，第四源漏摻雜區和浮空晶體管另一側的功能晶體管的第一源漏摻雜區電連接，浮空晶體管為無功能晶體管。可以在提高半導體結構的集成度的同時增加半導體結構的過流能力。

本發明授權半導體結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括：襯底；交替排布的功能晶體管和浮空晶體管，所述功能晶體管包括：功能柵極、第一源漏摻雜區和第二源漏摻雜區，所述功能柵極位于所述襯底表面，所述第一源漏摻雜區和所述第二源漏摻雜區位于所述功能柵極的相對兩側，所述浮空晶體管包括：浮空柵極、第三源漏摻雜區和第四源漏摻雜區，所述浮空柵極位于所述襯底表面，所述第三源漏摻雜區和所述第四源漏摻雜區位于所述浮空柵極的相對兩側，且所述第三源漏摻雜區和所述浮空晶體管一側的所述功能晶體管的所述第二源漏摻雜區電連接，所述第四源漏摻雜區和所述浮空晶體管另一側的所述功能晶體管的所述第一源漏摻雜區電連接，所述浮空晶體管為無功能晶體管；所述第一源漏摻雜區、所述第二源漏摻雜區、所述第三源漏摻雜區和所述第四源漏摻雜區的摻雜類型相同；所述第三源漏摻雜區和所述第四源漏摻雜區連接同一電位，且所述浮空柵極不接電位或接到特定電位；所述第三源漏摻雜區用于提高與該所述第三源漏摻雜區電連接的所述第二源漏摻雜區的EM能力，所述第四源漏摻雜區用于提高與該所述第四源漏摻雜區電連接的所述第一源漏摻雜區的EM能力。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海云攀半導體有限公司，其通訊地址為：201103 上海市閔行區萬源路2800號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。