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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海云攀半導(dǎo)體有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN117727758B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202311448240.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/83；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是由請求不公布姓名設(shè)計研發(fā)完成，并于2023-11-01向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本公開實(shí)施例涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：襯底；交替排布的功能晶體管和浮空晶體管，功能晶體管包括：功能柵極、第一源漏摻雜區(qū)和第二源漏摻雜區(qū)，功能柵極位于襯底表面，第一源漏摻雜區(qū)和第二源漏摻雜區(qū)位于功能柵極的相對兩側(cè)，浮空晶體管包括：浮空柵極、第三源漏摻雜區(qū)和第四源漏摻雜區(qū)，浮空柵極位于襯底表面，第三源漏摻雜區(qū)和第四源漏摻雜區(qū)位于浮空柵極的相對兩側(cè)，且第三源漏摻雜區(qū)和浮空晶體管一側(cè)的功能晶體管的第二源漏摻雜區(qū)電連接，第四源漏摻雜區(qū)和浮空晶體管另一側(cè)的功能晶體管的第一源漏摻雜區(qū)電連接，浮空晶體管為無功能晶體管。可以在提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的集成度的同時增加半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的過流能力。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：襯底；交替排布的功能晶體管和浮空晶體管，所述功能晶體管包括：功能柵極、第一源漏摻雜區(qū)和第二源漏摻雜區(qū)，所述功能柵極位于所述襯底表面，所述第一源漏摻雜區(qū)和所述第二源漏摻雜區(qū)位于所述功能柵極的相對兩側(cè)，所述浮空晶體管包括：浮空柵極、第三源漏摻雜區(qū)和第四源漏摻雜區(qū)，所述浮空柵極位于所述襯底表面，所述第三源漏摻雜區(qū)和所述第四源漏摻雜區(qū)位于所述浮空柵極的相對兩側(cè)，且所述第三源漏摻雜區(qū)和所述浮空晶體管一側(cè)的所述功能晶體管的所述第二源漏摻雜區(qū)電連接，所述第四源漏摻雜區(qū)和所述浮空晶體管另一側(cè)的所述功能晶體管的所述第一源漏摻雜區(qū)電連接，所述浮空晶體管為無功能晶體管；所述第一源漏摻雜區(qū)、所述第二源漏摻雜區(qū)、所述第三源漏摻雜區(qū)和所述第四源漏摻雜區(qū)的摻雜類型相同；所述第三源漏摻雜區(qū)和所述第四源漏摻雜區(qū)連接同一電位，且所述浮空柵極不接電位或接到特定電位；所述第三源漏摻雜區(qū)用于提高與該所述第三源漏摻雜區(qū)電連接的所述第二源漏摻雜區(qū)的EM能力，所述第四源漏摻雜區(qū)用于提高與該所述第四源漏摻雜區(qū)電連接的所述第一源漏摻雜區(qū)的EM能力。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人上海云攀半導(dǎo)體有限公司，其通訊地址為：201103 上海市閔行區(qū)萬源路2800號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。